Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

STP80NF70 데이터 시트

STP80NF70 데이터 시트
총 페이지: 13
크기: 421.75 KB
STMicroelectronics
웹 사이트: https://www.st.com/
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.: STP80NF70
STP80NF70 데이터 시트 페이지 1
STP80NF70 데이터 시트 페이지 2
STP80NF70 데이터 시트 페이지 3
STP80NF70 데이터 시트 페이지 4
STP80NF70 데이터 시트 페이지 5
STP80NF70 데이터 시트 페이지 6
STP80NF70 데이터 시트 페이지 7
STP80NF70 데이터 시트 페이지 8
STP80NF70 데이터 시트 페이지 9
STP80NF70 데이터 시트 페이지 10
STP80NF70 데이터 시트 페이지 11
STP80NF70 데이터 시트 페이지 12
STP80NF70 데이터 시트 페이지 13
STP80NF70

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

STripFET™ II

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

68V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

98A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.8mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

75nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2550pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

190W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3