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STPSC6H065DI 데이터 시트

STPSC6H065DI 데이터 시트
총 페이지: 14
크기: 215.17 KB
STMicroelectronics
웹 사이트: https://www.st.com/
이 데이터 시트는 4 부품 번호를 다룹니다.: STPSC6H065DI, STPSC6H065D, STPSC6H065G-TR, STPSC6H065B-TR
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STPSC6H065DI

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

650V

전류-평균 정류 (Io)

6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.75V @ 6A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

60µA @ 650V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2 Insulated, TO-220AC

공급자 장치 패키지

TO-220AC ins

작동 온도-접합

-40°C ~ 175°C

STPSC6H065D

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

650V

전류-평균 정류 (Io)

6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.75V @ 6A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

60µA @ 650V

커패시턴스 @ Vr, F

300pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220AC

작동 온도-접합

-40°C ~ 175°C

STPSC6H065G-TR

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

650V

전류-평균 정류 (Io)

6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.75V @ 6A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

60µA @ 650V

커패시턴스 @ Vr, F

300pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D²PAK

작동 온도-접합

-40°C ~ 175°C

STPSC6H065B-TR

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

650V

전류-평균 정류 (Io)

6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.75V @ 6A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

60µA @ 650V

커패시턴스 @ Vr, F

300pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

작동 온도-접합

-40°C ~ 175°C