Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

STR2N2VH5 데이터 시트

STR2N2VH5 데이터 시트
총 페이지: 13
크기: 877.04 KB
STMicroelectronics
웹 사이트: https://www.st.com/
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.: STR2N2VH5
STR2N2VH5 데이터 시트 페이지 1
STR2N2VH5 데이터 시트 페이지 2
STR2N2VH5 데이터 시트 페이지 3
STR2N2VH5 데이터 시트 페이지 4
STR2N2VH5 데이터 시트 페이지 5
STR2N2VH5 데이터 시트 페이지 6
STR2N2VH5 데이터 시트 페이지 7
STR2N2VH5 데이터 시트 페이지 8
STR2N2VH5 데이터 시트 페이지 9
STR2N2VH5 데이터 시트 페이지 10
STR2N2VH5 데이터 시트 페이지 11
STR2N2VH5 데이터 시트 페이지 12
STR2N2VH5 데이터 시트 페이지 13
STR2N2VH5

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

STripFET™ V

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

700mV @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.6nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

367pF @ 16V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

350mW (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3