STT4P3LLH6 데이터 시트
STT4P3LLH6 데이터 시트
총 페이지: 12
크기: 435.11 KB
STMicroelectronics
웹 사이트: https://www.st.com/
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
STT4P3LLH6
|
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 DeepGATE™, STripFET™ H6 FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 56mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6nC @ 4.5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 639pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.6W (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-23-6 패키지 / 케이스 SOT-23-6 |
