STW40N95DK5 데이터 시트
STMicroelectronics 제조업체 STMicroelectronics 시리즈 MDmesh™ DK5 FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 950V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 38A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 130mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 100nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3480pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 450W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-247 패키지 / 케이스 TO-247-3 |
STMicroelectronics 제조업체 STMicroelectronics 시리즈 MDmesh™ DK5 FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 950V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 38A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 130mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 100nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3480pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 450W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-247 Long Leads 패키지 / 케이스 TO-247-3 |