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STW75N60M6-4 데이터 시트

STW75N60M6-4 데이터 시트
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STMicroelectronics
웹 사이트: https://www.st.com/
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STW75N60M6-4

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

MDmesh™ M6

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

72A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

36mOhm @ 36A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.75V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

106nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4850pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

446W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247-4

패키지 / 케이스

TO-247-4