Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

STWA70N60DM2 데이터 시트

STWA70N60DM2 데이터 시트
총 페이지: 12
크기: 372.26 KB
STMicroelectronics
웹 사이트: https://www.st.com/
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.: STWA70N60DM2
STWA70N60DM2 데이터 시트 페이지 1
STWA70N60DM2 데이터 시트 페이지 2
STWA70N60DM2 데이터 시트 페이지 3
STWA70N60DM2 데이터 시트 페이지 4
STWA70N60DM2 데이터 시트 페이지 5
STWA70N60DM2 데이터 시트 페이지 6
STWA70N60DM2 데이터 시트 페이지 7
STWA70N60DM2 데이터 시트 페이지 8
STWA70N60DM2 데이터 시트 페이지 9
STWA70N60DM2 데이터 시트 페이지 10
STWA70N60DM2 데이터 시트 페이지 11
STWA70N60DM2 데이터 시트 페이지 12
STWA70N60DM2

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

MDmesh™ DM2

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

66A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

42mOhm @ 33A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

120nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5508pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

446W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247 Long Leads

패키지 / 케이스

TO-247-3