SUM33N20-60P-E3 데이터 시트
SUM33N20-60P-E3 데이터 시트
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Vishay Siliconix
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
SUM33N20-60P-E3
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 33A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V, 15V Rds On (최대) @ Id, Vgs 59mOhm @ 20A, 15V Vgs (th) (최대) @ Id 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 113nC @ 15V Vgs (최대) ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2735pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.12W (Ta), 156W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TO-263 (D2Pak) 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
