TH58NVG2S3HTAI0 데이터 시트
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제조업체 Toshiba Memory America, Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH 기술 FLASH - NAND (SLC) 메모리 크기 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 25ns 접근 시간 25ns 전압-공급 2.7V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지 48-TSOP I |
제조업체 Toshiba Memory America, Inc. 시리즈 Benand™ 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH 기술 FLASH - NAND (SLC) 메모리 크기 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 25ns 접근 시간 25ns 전압-공급 2.7V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지 48-TSOP I |
제조업체 Toshiba Memory America, Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH 기술 FLASH - NAND (SLC) 메모리 크기 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 25ns 접근 시간 25ns 전압-공급 2.7V ~ 3.6V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지 48-TSOP I |
