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TLP291(GR-TP 데이터 시트

TLP291(GR-TP 데이터 시트
총 페이지: 13
크기: 313.4 KB
Toshiba Semiconductor and Storage
이 데이터 시트는 5 부품 번호를 다룹니다.: TLP291(GR-TP,E), TLP291(GR,E), TLP291(E), TLP291(TP,E), TLP291(GB-TP,E)
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TLP291(GR-TP,E)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

3750Vrms

전류 전송 비율 (최소)

100% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

300% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

7µs, 7µs

상승 / 하강 시간 (일반)

4µs, 7µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.25V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-55°C ~ 110°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)

공급자 장치 패키지

4-SO

TLP291(GR,E)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

3750Vrms

전류 전송 비율 (최소)

100% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

300% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

7µs, 7µs

상승 / 하강 시간 (일반)

4µs, 7µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.25V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-55°C ~ 110°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)

공급자 장치 패키지

4-SO

TLP291(E)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

3750Vrms

전류 전송 비율 (최소)

50% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

400% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

7µs, 7µs

상승 / 하강 시간 (일반)

4µs, 7µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.25V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-55°C ~ 110°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)

공급자 장치 패키지

4-SO

TLP291(TP,E)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

3750Vrms

전류 전송 비율 (최소)

50% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

400% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

7µs, 7µs

상승 / 하강 시간 (일반)

4µs, 7µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.25V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-55°C ~ 110°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)

공급자 장치 패키지

4-SO

TLP291(GB-TP,E)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

3750Vrms

전류 전송 비율 (최소)

100% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

400% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

7µs, 7µs

상승 / 하강 시간 (일반)

4µs, 7µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.25V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-55°C ~ 110°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)

공급자 장치 패키지

4-SO