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TLP331(BV 데이터 시트

TLP331(BV 데이터 시트
총 페이지: 8
크기: 188.17 KB
Toshiba Semiconductor and Storage
이 데이터 시트는 3 부품 번호를 다룹니다.: TLP331(BV,F), TLP332(F), TLP331(F)
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TLP331(BV,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

200% @ 1mA

전류 전송 비율 (최대)

1200% @ 1mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

10µs, 8µs

상승 / 하강 시간 (일반)

8µs, 8µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor with Base

전압-출력 (최대)

55V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.15V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

6-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

6-DIP

TLP332(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

100% @ 1mA

전류 전송 비율 (최대)

1200% @ 1mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

10µs, 8µs

상승 / 하강 시간 (일반)

8µs, 8µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

55V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.15V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

6-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

6-DIP

TLP331(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

100% @ 1mA

전류 전송 비율 (최대)

1200% @ 1mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

10µs, 8µs

상승 / 하강 시간 (일반)

8µs, 8µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor with Base

전압-출력 (최대)

55V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.15V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

6-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

6-DIP