TPC8207(TE12L 데이터 시트
Toshiba Semiconductor and Storage 제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 20mOhm @ 4.8A, 4V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 200µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 22nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2010pF @ 10V 전력-최대 450mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP (5.5x6.0) |
Toshiba Semiconductor and Storage 제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 20mOhm @ 4.8A, 4V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 200µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 22nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2010pF @ 10V 전력-최대 450mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP (5.5x6.0) |