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UPA2737GR-E1-AT 데이터 시트

UPA2737GR-E1-AT 데이터 시트
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Renesas Electronics America
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UPA2737GR-E1-AT

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

45nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1750pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.1W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SOP

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)