V8PM10SHM3/I 데이터 시트
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 8A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 780mV @ 8A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 200µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F 860pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-277, 3-PowerDFN 공급자 장치 패키지 TO-277A (SMPC) 작동 온도-접합 -40°C ~ 175°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 8A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 780mV @ 8A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 200µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F 860pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-277, 3-PowerDFN 공급자 장치 패키지 TO-277A (SMPC) 작동 온도-접합 -40°C ~ 175°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 eSMP®, TMBS® 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 8A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 780mV @ 8A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 200µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F 860pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-277, 3-PowerDFN 공급자 장치 패키지 TO-277A (SMPC) 작동 온도-접합 -40°C ~ 175°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 eSMP®, TMBS® 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 8A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 780mV @ 8A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 200µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F 860pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-277, 3-PowerDFN 공급자 장치 패키지 TO-277A (SMPC) 작동 온도-접합 -40°C ~ 175°C |
