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VS-31DQ09TR 데이터 시트

VS-31DQ09TR 데이터 시트
총 페이지: 6
크기: 113.41 KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
이 데이터 시트는 4 부품 번호를 다룹니다.: VS-31DQ09TR, VS-31DQ10TR, VS-31DQ10, VS-31DQ09
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VS-31DQ09TR 데이터 시트 페이지 6
VS-31DQ09TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

90V

전류-평균 정류 (Io)

3.3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

850mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 90V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

C-16, Axial

공급자 장치 패키지

C-16

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

VS-31DQ10TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

3.3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

850mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

C-16, Axial

공급자 장치 패키지

C-16

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

VS-31DQ10

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

3.3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

850mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

C-16, Axial

공급자 장치 패키지

C-16

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

VS-31DQ09

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

90V

전류-평균 정류 (Io)

3.3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

850mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 90V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

C-16, Axial

공급자 장치 패키지

C-16

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C