VS-CPV362M4FPBF 데이터 시트
Vishay Semiconductor Diodes Division 제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - IGBT 유형 - 구성 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 600V 전류-수집기 (Ic) (최대) 8.8A 전력-최대 23W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 4.8A 전류-수집기 차단 (최대) 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce 0.34nF @ 30V 입력 Standard NTC 서미스터 No 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 19-SIP (13 Leads), IMS-2 공급자 장치 패키지 IMS-2 |
Vishay Semiconductor Diodes Division 제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - IGBT 유형 - 구성 Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 600V 전류-수집기 (Ic) (최대) 7.2A 전력-최대 23W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 7.2A 전류-수집기 차단 (최대) 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce 0.53nF @ 30V 입력 Standard NTC 서미스터 No 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 19-SIP (13 Leads), IMS-2 공급자 장치 패키지 IMS-2 |
Vishay Semiconductor Diodes Division 제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - IGBT 유형 - 구성 Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 600V 전류-수집기 (Ic) (최대) 5.7A 전력-최대 23W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 1.93V @ 15V, 3A 전류-수집기 차단 (최대) 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce 0.45nF @ 30V 입력 Standard NTC 서미스터 No 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 19-SIP (13 Leads), IMS-2 공급자 장치 패키지 IMS-2 |
Vishay Semiconductor Diodes Division 제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - IGBT 유형 - 구성 Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 600V 전류-수집기 (Ic) (최대) 8.8A 전력-최대 23W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 1.66V @ 15V, 8.8A 전류-수집기 차단 (최대) 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce 0.34nF @ 30V 입력 Standard NTC 서미스터 No 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 19-SIP (13 Leads), IMS-2 공급자 장치 패키지 IMS-2 |