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VS-FC420SA10 데이터 시트

VS-FC420SA10 데이터 시트
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Vishay Semiconductor Diodes Division
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VS-FC420SA10

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

435A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.15mOhm @ 200A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.8V @ 750µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

375nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

17300pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

652W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

공급자 장치 패키지

SOT-227

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC