W9412G6KH-4 데이터 시트
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제조업체 Winbond Electronics 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - DDR 메모리 크기 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 12ns 접근 시간 48ns 전압-공급 2.4V ~ 2.7V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지 66-TSOP II |
제조업체 Winbond Electronics 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - DDR 메모리 크기 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 50ns 전압-공급 2.3V ~ 2.7V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지 66-TSOP II |
제조업체 Winbond Electronics 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - DDR 메모리 크기 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 50ns 전압-공급 2.3V ~ 2.7V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지 66-TSOP II |
제조업체 Winbond Electronics 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - DDR 메모리 크기 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 50ns 전압-공급 2.3V ~ 2.7V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지 66-TSOP II |
제조업체 Winbond Electronics 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - DDR 메모리 크기 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 50ns 전압-공급 2.3V ~ 2.7V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지 66-TSOP II |
