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ZXMHC3F381N8TC 데이터 시트

ZXMHC3F381N8TC 데이터 시트
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Diodes Incorporated
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ZXMHC3F381N8TC

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.98A, 3.36A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

33mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

430pF @ 15V

전력-최대

870mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP