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ZXMN10A08DN8TC 데이터 시트

ZXMN10A08DN8TC 데이터 시트
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Diodes Incorporated
이 데이터 시트는 2 부품 번호를 다룹니다.: ZXMN10A08DN8TC, ZXMN10A08DN8TA
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ZXMN10A08DN8TC

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

250mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.7nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

405pF @ 50V

전력-최대

1.25W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

ZXMN10A08DN8TA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

250mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.7nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

405pF @ 50V

전력-최대

1.25W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP