수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

Infineon Technologies 트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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카테고리반도체 / 트랜지스터 / 트랜지스터-FET, MOSFET-단일
제조업체Infineon Technologies
기록 6,749
페이지 223/225
이미지
부품 번호
제조업체
설명
재고 있음
수량
시리즈
FET 유형
기술
드레인-소스 전압 (Vdss)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
Rds On (최대) @ Id, Vgs
Vgs (th) (최대) @ Id
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
Vgs (최대)
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
FET 기능
전력 손실 (최대)
작동 온도
장착 유형
공급자 장치 패키지
패키지 / 케이스
IPC26N12NX2SA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V SAWN WAFER
7,164
*
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-
IPC302N08N3X2SA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V SAWN WAFER
2,106
*
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-
AUIRLR024ZTRL
Infineon Technologies
MOSFET N CH 55V 16A DPAK
7,920
HEXFET®
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
55V
16A (Tc)
4.5V, 10V
58mOhm @ 9.6A, 10V
3V @ 250µA
9.9nC @ 5V
±16V
380pF @ 25V
-
35W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Surface Mount
D-Pak
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
IPI120N04S4-01M
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO262-3
7,290
-
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-
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-
-
-
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-
-
-
IPI80N07S405AKSA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO262-3
5,886
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
IPS70N10S3L-12
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 1TO251-3
8,586
-
-
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-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
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-
-
-
AUXHMF1404ZSTRL
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
6,318
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
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-
-
-
-
-
BSP615S2LHUMA1
Infineon Technologies
MOSFET SOT223-4
8,244
-
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-
-
-
-
-
-
-
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-
-
-
-
IPB80N07S405ATMA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
3,690
-
-
-
-
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-
-
-
-
-
-
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-
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-
-
-
ITD50N04S4L04ATMA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-5
4,698
-
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-
-
-
-
-
-
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-
IPA60R125C6E8191XKSA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
7,416
-
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-
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-
-
-
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-
-
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-
-
IPA65R310DEXKSA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220
6,606
-
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-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
IPC60R041C6UNSAWNX6SA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH BARE DIE
6,156
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
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-
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-
-
-
-
IPC60R070C6UNSAWNX6SA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH BARE DIE
4,410
-
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-
-
-
-
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-
-
-
-
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-
-
IPC60R099C6UNSAWNX6SA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH BARE DIE
2,394
-
-
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-
-
-
-
-
-
-
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-
IPC60R125C6UNSAWNX6SA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH BARE DIE
7,200
-
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-
-
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-
-
-
-
-
-
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-
-
IPC60R160C6UNSAWNX6SA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH BARE DIE
7,596
-
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-
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-
-
-
-
-
-
-
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-
-
-
IPC60R190E6UNSAWNX6SA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH BARE DIE
7,344
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
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-
IPC60R190E6X7SA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH
6,354
-
-
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-
-
-
-
-
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-
-
-
-
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-
-
-
IPC60R190P6X7SA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH
6,930
-
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-
-
-
-
-
-
-
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-
-
-
-
-
IPC60R280E6UNSAWNX6SA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH BARE DIE
4,806
-
-
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-
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-
-
-
-
-
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-
-
-
-
IPC60R280E6X7SA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH
7,650
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
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-
-
IPC60R380C6X7SA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH
8,442
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
IPC60R380E6UNSAWNX6SA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH BARE DIE
3,654
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
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-
-
IPC60R380E6X7SA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH
3,924
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
IPC60R520E6UNSAWNX6SA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH BARE DIE
3,024
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
IPC60R600E6UNSAWNX6SA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH BARE DIE
7,668
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
IPC60R950C6UNSAWNX6SA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH BARE DIE
6,642
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
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-
-
IPS50R520CPAKMA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 7.1A TO251-3
5,922
CoolMOS™
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
500V
7.1A (Tc)
10V
520mOhm @ 3.8A, 10V
3.5V @ 250µA
17nC @ 10V
±20V
680pF @ 100V
-
66W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
PG-TO251-3
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
IPS70R2K0CEE8211
Infineon Technologies
MOSFET N-CH
4,788
-
-
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