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부품 번호	설명	재고 있음
EL817S(B)(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 5KV TRANSISTOR 4-SMD 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 130% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 260% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 35V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음5,196
EL817S(A)(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 5KV TRANSISTOR 4-SMD 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 80% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 160% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 35V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음773
H11B3 Everlight Electronics Co Ltd	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6DIP 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 18µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Darlington with Base 전압-출력 (최대): 55V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 1V 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음5,127
PS8502L3-E3-AX CEL	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 5KV TRANS 8SMD 제조업체: CEL 시리즈: NEPOC 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 15% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 220ns, 350ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 35V 전류-출력 / 채널: 8mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.7V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 8-SMD	재고 있음2,803
PS8502L2-E3-AX CEL	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 5KV TRANS 8SMD 제조업체: CEL 시리즈: NEPOC 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 15% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 220ns, 350ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 35V 전류-출력 / 채널: 8mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.7V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 8-SMD	재고 있음4,244
PS8501L2-E3-AX CEL	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 8SMD 제조업체: CEL 시리즈: NEPOC 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 15% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 220ns, 350ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 35V 전류-출력 / 채널: 8mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.7V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 8-SMD	재고 있음1,427
PS8302L2-E3-AX CEL	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 5KV TRANS 6SOIC 제조업체: CEL 시리즈: NEPOC 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 15% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 300ns, 330ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 35V 전류-출력 / 채널: 8mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.6V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width) 공급자 장치 패키지: 6-SDIP	재고 있음1,201
PS2801C-1-V-F3-A CEL	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 2.5KV TRANS 4SOIC 제조업체: CEL 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 7µs 상승 / 하강 시간 (일반): 5µs, 7µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 30mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 4-SSOP	재고 있음2,153
PS2705A-1-V-F3-A CEL	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4SMD 제조업체: CEL 시리즈: NEPOC 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 5µs, 7µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 30mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SOP	재고 있음1,512
PS8502L3-AX CEL	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 5KV TRANS 8SMD 제조업체: CEL 시리즈: NEPOC 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 15% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 220ns, 350ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 35V 전류-출력 / 채널: 8mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.7V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 8-SMD	재고 있음490
PS8101-K-AX CEL	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 6SO 제조업체: CEL 시리즈: NEPOC 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대): 35% @ 16mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 500ns, 600ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 35V 전류-출력 / 채널: 8mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.7V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads 공급자 장치 패키지: 5-SOP	재고 있음125
PS2381-1Y-AX CEL	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 5KV TRANS 4SMD 제조업체: CEL 시리즈: NEPOC 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 5µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.1V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -40°C ~ 115°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-LSOP (2.54mm)	재고 있음2,244
PC81713NIP0X SHARP/Socle Technology	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 5KV TRANS 4SMD 제조업체: SHARP/Socle Technology 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 500µA 전류 전송 비율 (최대): 500% @ 500µA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 10mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -30°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음6,813
PS8101-V-F3-AX CEL	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 6SO 제조업체: CEL 시리즈: NEPOC 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 15% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대): 35% @ 16mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 500ns, 600ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 35V 전류-출력 / 채널: 8mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.7V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads 공급자 장치 패키지: 5-SOP	재고 있음5,794
PS2861B-1Y-A CEL	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4SO 제조업체: CEL 시리즈: NEPOC 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 5µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.1V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 4-SOP	재고 있음998
PS2801C-4-A CEL	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 2.5KV 4CH TRANS 16SSOP 제조업체: CEL 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 7µs 상승 / 하강 시간 (일반): 5µs, 7µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 30mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SSOP	재고 있음20
FODM121R1 ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 80mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V (Max) 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음93
FOD617BSD ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 5KV TRANSISTOR 4SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음1
MCT210M ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 7500Vpk 전류 전송 비율 (최소): 150% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 1µs, 50µs 상승 / 하강 시간 (일반): 1µs, 11µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 30mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.33V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음1,567
TLP281-4(TP,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 2.5KV 4CH TRANS 16-SOP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOP	재고 있음608
H11B3 Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 30µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Darlington with Base 전압-출력 (최대): 25V 전류-출력 / 채널: 100mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.1V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 1V 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음3,912
H11B2 Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 30µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Darlington with Base 전압-출력 (최대): 25V 전류-출력 / 채널: 100mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.1V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 1V 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음9,289
IL2 Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 500% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 1.2µs, 2.3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2.6µs, 2.2µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 250mV (Typ) 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음4,570
H11B1 Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 500% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 30µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Darlington with Base 전압-출력 (최대): 25V 전류-출력 / 채널: 100mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.1V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 1V 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음1,891
H11A3 Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.1V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음81
TLP280-4(GB-TP,J,F Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 2.5KV 4CH TRANS 16-SOP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 4 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOP	재고 있음54,094
MOC207R1M ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 7.5µs, 5.7µs 상승 / 하강 시간 (일반): 3.2µs, 4.7µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음536
FOD617C300 ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 5KV TRANSISTOR 4DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음122,092
FOD617A300 ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 5KV TRANSISTOR 4DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 40% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 80% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음46,172
4N46-300E Broadcom	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 3.75KV DARL W/BASE 6SMD 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 1000% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 150µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Darlington with Base 전압-출력 (최대): 20V 전류-출력 / 채널: 60mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.4V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 85°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음6,404

EL817S(B)(TA)-V

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 5KV TRANSISTOR 4-SMD

제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 130% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 260% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 35V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음5,196

EL817S(A)(TA)-V

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 5KV TRANSISTOR 4-SMD

제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 80% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 160% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 35V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음773

H11B3

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6DIP

제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 18µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Darlington with Base
전압-출력 (최대): 55V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 1V
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음5,127

PS8502L3-E3-AX

CEL

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV TRANS 8SMD

제조업체: CEL
시리즈: NEPOC
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 15% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 220ns, 350ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 35V
전류-출력 / 채널: 8mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.7V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 8-SMD

재고 있음2,803

PS8502L2-E3-AX

CEL

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV TRANS 8SMD

제조업체: CEL
시리즈: NEPOC
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 15% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 220ns, 350ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 35V
전류-출력 / 채널: 8mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.7V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 8-SMD

재고 있음4,244

PS8501L2-E3-AX

CEL

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 8SMD

제조업체: CEL
시리즈: NEPOC
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 15% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 220ns, 350ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 35V
전류-출력 / 채널: 8mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.7V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 8-SMD

재고 있음1,427

PS8302L2-E3-AX

CEL

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV TRANS 6SOIC

제조업체: CEL
시리즈: NEPOC
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 15% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 300ns, 330ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 35V
전류-출력 / 채널: 8mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.6V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
공급자 장치 패키지: 6-SDIP

재고 있음1,201

PS2801C-1-V-F3-A

CEL

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 2.5KV TRANS 4SOIC

제조업체: CEL
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 7µs
상승 / 하강 시간 (일반): 5µs, 7µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 30mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 4-SSOP

재고 있음2,153

PS2705A-1-V-F3-A

CEL

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4SMD

제조업체: CEL
시리즈: NEPOC
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 5µs, 7µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 30mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SOP

재고 있음1,512

PS8502L3-AX

CEL

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV TRANS 8SMD

제조업체: CEL
시리즈: NEPOC
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 15% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 220ns, 350ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 35V
전류-출력 / 채널: 8mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.7V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 8-SMD

재고 있음490

PS8101-K-AX

CEL

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 6SO

제조업체: CEL
시리즈: NEPOC
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대): 35% @ 16mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 500ns, 600ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 35V
전류-출력 / 채널: 8mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.7V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
공급자 장치 패키지: 5-SOP

재고 있음125

PS2381-1Y-AX

CEL

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV TRANS 4SMD

제조업체: CEL
시리즈: NEPOC
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 5µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.1V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -40°C ~ 115°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-LSOP (2.54mm)

재고 있음2,244

PC81713NIP0X

SHARP/Socle Technology

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV TRANS 4SMD

제조업체: SHARP/Socle Technology
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 200% @ 500µA
전류 전송 비율 (최대): 500% @ 500µA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 10mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -30°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음6,813

PS8101-V-F3-AX

CEL

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 6SO

제조업체: CEL
시리즈: NEPOC
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 15% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대): 35% @ 16mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 500ns, 600ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 35V
전류-출력 / 채널: 8mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.7V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
공급자 장치 패키지: 5-SOP

재고 있음5,794

PS2861B-1Y-A

CEL

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4SO

제조업체: CEL
시리즈: NEPOC
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 5µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.1V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 4-SOP

재고 있음998

PS2801C-4-A

CEL

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV 4CH TRANS 16SSOP

제조업체: CEL
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 7µs
상승 / 하강 시간 (일반): 5µs, 7µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 30mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SSOP

재고 있음20

FODM121R1

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 80mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V (Max)
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음93

FOD617BSD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV TRANSISTOR 4SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음1

MCT210M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 7500Vpk
전류 전송 비율 (최소): 150% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 1µs, 50µs
상승 / 하강 시간 (일반): 1µs, 11µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 30mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.33V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음1,567

TLP281-4(TP,J,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV 4CH TRANS 16-SOP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOP

재고 있음608

H11B3

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 30µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Darlington with Base
전압-출력 (최대): 25V
전류-출력 / 채널: 100mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.1V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 1V
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음3,912

H11B2

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 200% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 30µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Darlington with Base
전압-출력 (최대): 25V
전류-출력 / 채널: 100mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.1V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 1V
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음9,289

IL2

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 500% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 1.2µs, 2.3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2.6µs, 2.2µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 250mV (Typ)
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음4,570

H11B1

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 500% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 30µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Darlington with Base
전압-출력 (최대): 25V
전류-출력 / 채널: 100mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.1V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 1V
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음1,891

H11A3

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.1V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음81

TLP280-4(GB-TP,J,F

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV 4CH TRANS 16-SOP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 4
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOP

재고 있음54,094

MOC207R1M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 7.5µs, 5.7µs
상승 / 하강 시간 (일반): 3.2µs, 4.7µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음536

FOD617C300

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV TRANSISTOR 4DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음122,092

FOD617A300

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV TRANSISTOR 4DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 40% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 80% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음46,172

4N46-300E

Broadcom

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV DARL W/BASE 6SMD

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 200% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 1000% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 150µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Darlington with Base
전압-출력 (최대): 20V
전류-출력 / 채널: 60mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.4V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 85°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음6,404

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