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부품 번호
설명
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EL816(X)-V
EL816(X)-V

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 5KV TRANSISTOR 4-DIP

  • 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 200mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 4-DIP
재고 있음3,094
EL3H7(A)(TA)-VG
EL3H7(A)(TA)-VG

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SSOP

  • 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 80% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 160% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 5µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 200mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 4-SSOP
재고 있음9,836
PS2801-4-A
PS2801-4-A

Renesas Electronics America

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV 4CH TRANS 16-SSOP

  • 제조업체: Renesas Electronics America
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 4
  • 전압-절연: 2500Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 80% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 5µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 5µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.1V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 16-SSOP
재고 있음2
SFH6156-3TX001
SFH6156-3TX001

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5.3KV TRANS 4SMD

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음439
JANTX4N49
JANTX4N49

TT Electronics/Optek Technology

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 1KV TRANS W/BASE TO78-6

  • 제조업체: TT Electronics/Optek Technology
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 1000VDC
  • 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 1000% @ 1mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 20µs, 20µs (Max)
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 40V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 40mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
  • 공급자 장치 패키지: TO-78-6
재고 있음381
4N36SM
4N36SM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 4170Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 2µs, 2µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음2,643
MOC8101
MOC8101

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5.3KV TRANS 6-DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 80% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음5,980
H11B1SR2M
H11B1SR2M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 4170Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 500% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 18µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Darlington with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 150mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA
  • Vce 포화 (최대): 1V
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
견적 요청
6N140A/883B
6N140A/883B

Broadcom

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 1.5KV 4CH DARLNG 16-DIP

  • 제조업체: Broadcom Limited
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 4
  • 전압-절연: 1500VDC
  • 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 2µs, 8µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Darlington
  • 전압-출력 (최대): 20V
  • 전류-출력 / 채널: 40mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.4V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 10mA
  • Vce 포화 (최대): 110mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 16-DIP
재고 있음1,057
PS2833-4-A
PS2833-4-A

Renesas Electronics America

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 2.5KV 4CH DARL 16SOIC

  • 제조업체: Renesas Electronics America
  • 시리즈: NEPOC
  • 채널 수: 4
  • 전압-절연: 2500Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 400% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 4500% @ 1mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 20µs, 5µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Darlington
  • 전압-출력 (최대): 350V
  • 전류-출력 / 채널: 60mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 1V
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 16-SSOP
재고 있음7,372
ACPL-K376-000E
ACPL-K376-000E

Broadcom

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV DARL 8-SO STRETCHED

  • 제조업체: Broadcom Limited
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): -
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6.3µs, 6.4µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 24µs, 0.4µs
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Darlington
  • 전압-출력 (최대): 20V
  • 전류-출력 / 채널: 30mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.268", 6.81mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SO Stretched
재고 있음90
SFH6916
SFH6916

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV 4CH TRANS 16-SOP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 4
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 4µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 16-SOP
재고 있음1
ILQ2-X009T
ILQ2-X009T

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV 4CH TRANS 16SMD

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 4
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 500% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 1.2µs, 2.3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2.6µs, 2.2µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 16-SMD
재고 있음22
PS2805C-4-A

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV 4CH TRANS 16SOIC

  • 제조업체: CEL
  • 시리즈: NEPOC
  • 채널 수: 4
  • 전압-절연: 2500Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 7µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 5µs, 7µs
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 30mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 16-SSOP
재고 있음767
SFH6325-X017T
SFH6325-X017T

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATR 5.3KV 2CH TRANS 8SMD

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 2
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 7% @ 16mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 300ns, 600ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 25V
  • 전류-출력 / 채널: 8mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.33V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 8-SMD
재고 있음8,265
HCPL0501R2
HCPL0501R2

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOCOUPLER SGL TRANS OUT 8-SOIC

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 2500Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 450ns, 300ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 20V
  • 전류-출력 / 채널: 8mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.45V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음4,574
SFH640-3X019T
SFH640-3X019T

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 6µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2.5µs, 5.5µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 300V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.1V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음1,790
SFH6345-X009T
SFH6345-X009T

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5.3KV TRANS 8SMD

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 300ns, 300ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 25V
  • 전류-출력 / 채널: 8mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.33V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 8-SMD
재고 있음1,456
6N136-X019T
6N136-X019T

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 8SMD

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 200ns, 200ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 15V
  • 전류-출력 / 채널: 8mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.33V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 8-SMD
재고 있음3,364
ILD615-3X009T
ILD615-3X009T

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV 2CH TRANS 8SMD

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 2
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 8-SMD
재고 있음7,167
PS2565L-1-V-A

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV TRANS 4SMD

  • 제조업체: CEL
  • 시리즈: NEPOC
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 80% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 5µs
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.17V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음1,461
H11AA1-X007T
H11AA1-X007T

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음132
PS2761B-1-A

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4SMD

  • 제조업체: CEL
  • 시리즈: NEPOC
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 5µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 40mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.1V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SOP
재고 있음689
IL256AT
IL256AT

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4KV TRANS W/BASE 8SOIC

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 4000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음4,752
IL216AT
IL216AT

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4KV TRANS W/BASE 8SOIC

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 4000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음111
PS2703-1-K-A

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4SMD

  • 제조업체: CEL
  • 시리즈: NEPOC
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 10µs, 10µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 120V
  • 전류-출력 / 채널: 30mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.1V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SOP
재고 있음345
CNY17F4M
CNY17F4M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4.17KV TRANS 6DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 4170Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 160% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 320% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 2µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3.5µs (Max)
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음26,922
6N135SVM
6N135SVM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 8SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 7% @ 16mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 230ns, 450ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 20V
  • 전류-출력 / 채널: 8mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.45V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 8-SMD
재고 있음2,580
FOD2741AS
FOD2741AS

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV TRANSISTOR 8SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 8-SMD
재고 있음63
MCT6H
MCT6H

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 5.3KV 2CH TRANS 8-DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 2
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 5µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 4.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-DIP
재고 있음22