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부품 번호	설명	재고 있음
DS1270Y-70IND# Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 36-EDIP	재고 있음751
70T653MS10BC IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음3,063
70T3539MS133BCGI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음65
70T3539MS133BCG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음101
AT28C256E-15DM/883 Microchip Technology	기억 IC EEPROM 256K PARALLEL 28CDIP 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms 접근 시간: 150ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-CDIP	재고 있음119
CY7C25652KV18-400BZC Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, QDR II+ 메모리 크기: 72Mb (2M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)	재고 있음183
AT28C256-15UM/883 Microchip Technology	기억 IC EEPROM 256K PARALLEL 28CPGA 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms 접근 시간: 150ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-BCPGA 공급자 장치 패키지: 28-CPGA (13.97x16.51)	재고 있음252
AT28C256E-20DM/883 Microchip Technology	기억 IC EEPROM 256K PARALLEL 28CDIP 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms 접근 시간: 200ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-CDIP	재고 있음138
CY7C2562XV18-366BZXC Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, QDR II+ 메모리 크기: 72Mb (4M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 366MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)	재고 있음110
AT28C256-25DM/883 Microchip Technology	기억 IC EEPROM 256K PARALLEL 28CDIP 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms 접근 시간: 250ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-CDIP	재고 있음659
AT28C256-20DM/883 Microchip Technology	기억 IC EEPROM 256K PARALLEL 28CDIP 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms 접근 시간: 200ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-CDIP	재고 있음32
CY7C1565KV18-400BZXI Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, QDR II+ 메모리 크기: 72Mb (2M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)	재고 있음729
CY7C1545KV18-400BZXI Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, QDR II+ 메모리 크기: 72Mb (2M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)	재고 있음2,943
CY7C1474V25-200BGXI Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 72M PARALLEL 209FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: NoBL™ 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 72Mb (1M x 72) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 209-BGA 공급자 장치 패키지: 209-FBGA (14x22)	재고 있음400
7005S70GB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 68PGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 68-BPGA 공급자 장치 패키지: 68-PGA (29.46x29.46)	재고 있음153
AT28C256-20UM/883 Microchip Technology	기억 IC EEPROM 256K PARALLEL 28CPGA 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms 접근 시간: 200ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-BCPGA 공급자 장치 패키지: 28-CPGA (13.97x16.51)	재고 있음1,974
AT28C256-25FM/883 Microchip Technology	기억 IC EEPROM 256K PARALLEL 28FLATPK 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms 접근 시간: 250ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-CFlatPack 공급자 장치 패키지: 28-Flatpack, Ceramic Bottom-Brazed	재고 있음3,696
7134LA35CB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 32K PARALLEL SB48 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous 메모리 크기: 32Kb (4K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 48-DIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 48-SIDE BRAZED	재고 있음56
70T3339S133BFGI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 9Mb (512K x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-LFBGA 공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)	재고 있음4,689
AT28C256F-15LM/883 Microchip Technology	기억 IC EEPROM 256K PARALLEL 32LCC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 3ms 접근 시간: 150ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-CLCC 공급자 장치 패키지: 32-LCC (11.43x13.97)	재고 있음1,339
AT28HC256-12LM/883 Microchip Technology	기억 IC EEPROM 256K PARALLEL 32LCC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms 접근 시간: 120ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-CLCC 공급자 장치 패키지: 32-LCC (11.43x13.97)	재고 있음4,619
AT28C256-20FM/883 Microchip Technology	기억 IC EEPROM 256K PARALLEL 28FLATPK 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms 접근 시간: 200ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-CFlatPack 공급자 장치 패키지: 28-Flatpack, Ceramic Bottom-Brazed	재고 있음51
7143SA70GB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 32K PARALLEL 68PGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous 메모리 크기: 32Kb (2K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 68-BPGA 공급자 장치 패키지: 68-PGA (29.46x29.46)	재고 있음2,824
AT28C256-25LM/883 Microchip Technology	기억 IC EEPROM 256K PARALLEL 32LCC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms 접근 시간: 250ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-CLCC 공급자 장치 패키지: 32-LCC (11.43x13.97)	재고 있음289
CY7C1474V33-200BGC Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 72M PARALLEL 209FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: NoBL™ 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 72Mb (1M x 72) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 209-BGA 공급자 장치 패키지: 209-FBGA (14x22)	재고 있음252
7134SA35CB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 32K PARALLEL SB48 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous 메모리 크기: 32Kb (4K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 48-DIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 48-SIDE BRAZED	재고 있음3,361
CY7C1520KV18-333BZXC Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 72Mb (2M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)	재고 있음63
CY7C1518KV18-333BZC Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 72Mb (4M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)	재고 있음345
CY7C1512KV18-333BZI Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, QDR II 메모리 크기: 72Mb (4M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)	재고 있음31
7133SA90GB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 32K PARALLEL 68PGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous 메모리 크기: 32Kb (2K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns 접근 시간: 90ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 68-BPGA 공급자 장치 패키지: 68-PGA (29.46x29.46)	재고 있음2,662

DS1270Y-70IND#

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 36-EDIP

재고 있음751

70T653MS10BC

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-LBGA
공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)

재고 있음3,063

70T3539MS133BCGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-LBGA
공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)

재고 있음65

70T3539MS133BCG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-LBGA
공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)

재고 있음101

AT28C256E-15DM/883

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 256K PARALLEL 28CDIP

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
접근 시간: 150ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TC)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-CDIP

재고 있음119

CY7C25652KV18-400BZC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, QDR II+
메모리 크기: 72Mb (2M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)

재고 있음183

AT28C256-15UM/883

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 256K PARALLEL 28CPGA

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
접근 시간: 150ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TC)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-BCPGA
공급자 장치 패키지: 28-CPGA (13.97x16.51)

재고 있음252

AT28C256E-20DM/883

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 256K PARALLEL 28CDIP

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
접근 시간: 200ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TC)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-CDIP

재고 있음138

CY7C2562XV18-366BZXC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, QDR II+
메모리 크기: 72Mb (4M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 366MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)

재고 있음110

AT28C256-25DM/883

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 256K PARALLEL 28CDIP

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
접근 시간: 250ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TC)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-CDIP

재고 있음659

AT28C256-20DM/883

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 256K PARALLEL 28CDIP

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
접근 시간: 200ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TC)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-CDIP

재고 있음32

CY7C1565KV18-400BZXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, QDR II+
메모리 크기: 72Mb (2M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)

재고 있음729

CY7C1545KV18-400BZXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, QDR II+
메모리 크기: 72Mb (2M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)

재고 있음2,943

CY7C1474V25-200BGXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 209FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: NoBL™
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 72Mb (1M x 72)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3ns
전압-공급: 2.375V ~ 2.625V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 209-BGA
공급자 장치 패키지: 209-FBGA (14x22)

재고 있음400

7005S70GB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 68PGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 68-BPGA
공급자 장치 패키지: 68-PGA (29.46x29.46)

재고 있음153

AT28C256-20UM/883

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 256K PARALLEL 28CPGA

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
접근 시간: 200ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TC)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-BCPGA
공급자 장치 패키지: 28-CPGA (13.97x16.51)

재고 있음1,974

AT28C256-25FM/883

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 256K PARALLEL 28FLATPK

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
접근 시간: 250ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-CFlatPack
공급자 장치 패키지: 28-Flatpack, Ceramic Bottom-Brazed

재고 있음3,696

7134LA35CB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 32K PARALLEL SB48

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
메모리 크기: 32Kb (4K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 48-DIP (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 48-SIDE BRAZED

재고 있음56

70T3339S133BFGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 9Mb (512K x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-LFBGA
공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)

재고 있음4,689

AT28C256F-15LM/883

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 256K PARALLEL 32LCC

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 3ms
접근 시간: 150ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-CLCC
공급자 장치 패키지: 32-LCC (11.43x13.97)

재고 있음1,339

AT28HC256-12LM/883

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 256K PARALLEL 32LCC

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
접근 시간: 120ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-CLCC
공급자 장치 패키지: 32-LCC (11.43x13.97)

재고 있음4,619

AT28C256-20FM/883

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 256K PARALLEL 28FLATPK

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
접근 시간: 200ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-CFlatPack
공급자 장치 패키지: 28-Flatpack, Ceramic Bottom-Brazed

재고 있음51

7143SA70GB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 32K PARALLEL 68PGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
메모리 크기: 32Kb (2K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 68-BPGA
공급자 장치 패키지: 68-PGA (29.46x29.46)

재고 있음2,824

AT28C256-25LM/883

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 256K PARALLEL 32LCC

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
접근 시간: 250ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-CLCC
공급자 장치 패키지: 32-LCC (11.43x13.97)

재고 있음289

CY7C1474V33-200BGC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 209FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: NoBL™
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 72Mb (1M x 72)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 209-BGA
공급자 장치 패키지: 209-FBGA (14x22)

재고 있음252

7134SA35CB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 32K PARALLEL SB48

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
메모리 크기: 32Kb (4K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 48-DIP (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 48-SIDE BRAZED

재고 있음3,361

CY7C1520KV18-333BZXC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR II
메모리 크기: 72Mb (2M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)

재고 있음63

CY7C1518KV18-333BZC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR II
메모리 크기: 72Mb (4M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)

재고 있음345

CY7C1512KV18-333BZI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, QDR II
메모리 크기: 72Mb (4M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)

재고 있음31

7133SA90GB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 32K PARALLEL 68PGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
메모리 크기: 32Kb (2K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
접근 시간: 90ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 68-BPGA
공급자 장치 패키지: 68-PGA (29.46x29.46)

재고 있음2,662

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