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부품 번호	설명	재고 있음
CYD36S18V18-167BGXI Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 484FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 36Mb (2M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4ns 전압-공급: 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 484-FBGA 공급자 장치 패키지: 484-FBGA (23x23)	재고 있음9,512
CYD18S18V18-200BBAXC Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 256FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.3ns 전압-공급: 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-FBGA (17x17)	재고 있음778
CY7C1518KV18-250BZXC Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 72Mb (4M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)	재고 있음3,145
CY7C2264XV18-366BZXC Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, QDR II+ 메모리 크기: 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 366MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)	재고 있음7,303
CY7C1625KV18-250BZXI Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 144M PARALLEL 165FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, QDR II 메모리 크기: 144Mb (16M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (15x17)	재고 있음7,305
CY7C1565KV18-450BZXC Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, QDR II+ 메모리 크기: 72Mb (2M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 450MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)	재고 있음91
CY7C1565KV18-450BZI Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, QDR II+ 메모리 크기: 72Mb (2M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 450MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)	재고 있음451
CY7C056V-15AXC Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 576K PARALLEL 144TQFP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous 메모리 크기: 576Kb (16K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 15ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-LQFP 공급자 장치 패키지: 144-TQFP (20x20)	재고 있음114
CY14E116L-ZS25XI Cypress Semiconductor	기억 IC NVSRAM 16M PARALLEL 44TSOP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: 25ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음5,106
CY7C1460SV25-167AXC Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 100TQFP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.4ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)	재고 있음211
CY7C009V-25AXC Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: 25ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)	재고 있음7
CY7C1474V33-167BGC Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 72M PARALLEL 209FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: NoBL™ 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 72Mb (1M x 72) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.4ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 209-BGA 공급자 장치 패키지: 209-FBGA (14x22)	재고 있음287
CY7C1418KV18-250BZC Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 36Mb (2M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)	재고 있음7,405
CY7C2170KV18-400BZXC Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II+ 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)	재고 있음5,894
CY7C1441KV33-133AXM Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 133MHZ 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음3,719
CY7C1148KV18-400BZC Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II+ 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)	재고 있음3,444
CY7C1320KV18-333BZXC Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)	재고 있음797
CY7C1463KV33-133AXC Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 100TQFP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: NoBL™ 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음569
CY7C1461KV33-133AXI Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 133MHZ 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: NoBL™ 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음134
CY7C1460KV33-167AXC Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 100TQFP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: NoBL™ 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.4ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음244
CY7C1441KV33-133BZXI Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (15x17)	재고 있음1,064
CY7C1412KV18-333BZXI Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, QDR II 메모리 크기: 36Mb (2M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)	재고 있음4,493
71321LA25JGI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 52PLCC 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: 25ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 52-LCC (J-Lead) 공급자 장치 패키지: 52-PLCC (19.13x19.13)	재고 있음2,954
CY7C1315KV18-250BZXI Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, QDR II 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)	재고 있음2,003
CY7C1373KV33-100AXC Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: NoBL™ 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음3,093
AT28C010-12FM/883 Microchip Technology	기억 IC EEPROM 1M PARALLEL 32FLATPCK 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms 접근 시간: 120ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-CFlatpack 공급자 장치 패키지: 32-Flatpack, Ceramic Bottom-Brazed	재고 있음5,554
THGAF8T0T43BAIR Toshiba Memory America, Inc.	기억 128GB VER. 2.1 UFS UNIVERSAL FLA 제조업체: Toshiba Memory America, Inc. 시리즈: Consumer UFS 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Tb (128G x 8) 메모리 인터페이스: UFS 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 153-VFBGA 공급자 장치 패키지: 153-VFBGA (11.5x13)	재고 있음35
CY7C1372KV33-200AXC Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: NoBL™ 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음2
CY7C1514KV18-250BZXI Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, QDR II 메모리 크기: 72Mb (2M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)	재고 있음1
CY7C1470BV33-250BZXC Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: NoBL™ 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 72Mb (2M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (15x17)	재고 있음140

CYD36S18V18-167BGXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 36M PARALLEL 484FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 36Mb (2M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4ns
전압-공급: 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 484-FBGA
공급자 장치 패키지: 484-FBGA (23x23)

재고 있음9,512

CYD18S18V18-200BBAXC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 256FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 18Mb (1M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.3ns
전압-공급: 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-LBGA
공급자 장치 패키지: 256-FBGA (17x17)

재고 있음778

CY7C1518KV18-250BZXC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR II
메모리 크기: 72Mb (4M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)

재고 있음3,145

CY7C2264XV18-366BZXC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, QDR II+
메모리 크기: 36Mb (1M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 366MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)

재고 있음7,303

CY7C1625KV18-250BZXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 144M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, QDR II
메모리 크기: 144Mb (16M x 9)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-FBGA (15x17)

재고 있음7,305

CY7C1565KV18-450BZXC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, QDR II+
메모리 크기: 72Mb (2M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 450MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)

재고 있음91

CY7C1565KV18-450BZI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, QDR II+
메모리 크기: 72Mb (2M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 450MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)

재고 있음451

CY7C056V-15AXC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 576K PARALLEL 144TQFP

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
메모리 크기: 576Kb (16K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 15ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-LQFP
공급자 장치 패키지: 144-TQFP (20x20)

재고 있음114

CY14E116L-ZS25XI

Cypress Semiconductor

기억

IC NVSRAM 16M PARALLEL 44TSOP

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: 25ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음5,106

CY7C1460SV25-167AXC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 36M PARALLEL 100TQFP

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 36Mb (1M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.4ns
전압-공급: 2.375V ~ 2.625V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)

재고 있음211

CY7C009V-25AXC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: 25ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)

재고 있음7

CY7C1474V33-167BGC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 209FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: NoBL™
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 72Mb (1M x 72)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.4ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 209-BGA
공급자 장치 패키지: 209-FBGA (14x22)

재고 있음287

CY7C1418KV18-250BZC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR II
메모리 크기: 36Mb (2M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)

재고 있음7,405

CY7C2170KV18-400BZXC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR II+
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)

재고 있음5,894

CY7C1441KV33-133AXM

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 36M PARALLEL 133MHZ

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 36Mb (1M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 6.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)

재고 있음3,719

CY7C1148KV18-400BZC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR II+
메모리 크기: 18Mb (1M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)

재고 있음3,444

CY7C1320KV18-333BZXC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR II
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)

재고 있음797

CY7C1463KV33-133AXC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 36M PARALLEL 100TQFP

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: NoBL™
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 36Mb (1M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 6.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)

재고 있음569

CY7C1461KV33-133AXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 36M PARALLEL 133MHZ

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: NoBL™
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 36Mb (1M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 6.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)

재고 있음134

CY7C1460KV33-167AXC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 36M PARALLEL 100TQFP

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: NoBL™
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 36Mb (1M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.4ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)

재고 있음244

CY7C1441KV33-133BZXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 36Mb (1M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 6.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-FBGA (15x17)

재고 있음1,064

CY7C1412KV18-333BZXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, QDR II
메모리 크기: 36Mb (2M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)

재고 있음4,493

71321LA25JGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 52PLCC

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: 25ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 52-LCC (J-Lead)
공급자 장치 패키지: 52-PLCC (19.13x19.13)

재고 있음2,954

CY7C1315KV18-250BZXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, QDR II
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)

재고 있음2,003

CY7C1373KV33-100AXC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: NoBL™
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 18Mb (1M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)

재고 있음3,093

AT28C010-12FM/883

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 1M PARALLEL 32FLATPCK

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
접근 시간: 120ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-CFlatpack
공급자 장치 패키지: 32-Flatpack, Ceramic Bottom-Brazed

재고 있음5,554

THGAF8T0T43BAIR

Toshiba Memory America, Inc.

기억

128GB VER. 2.1 UFS UNIVERSAL FLA

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
시리즈: Consumer UFS
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Tb (128G x 8)
메모리 인터페이스: UFS
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 153-VFBGA
공급자 장치 패키지: 153-VFBGA (11.5x13)

재고 있음35

CY7C1372KV33-200AXC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: NoBL™
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 18Mb (1M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)

재고 있음2

CY7C1514KV18-250BZXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, QDR II
메모리 크기: 72Mb (2M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)

재고 있음1

CY7C1470BV33-250BZXC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: NoBL™
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 72Mb (2M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-FBGA (15x17)

재고 있음140

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