Instant Offers

2304

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 45V 2.3GHZ 55BT

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
• 주파수-전환: 2.3GHz
• 노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
• 이득: 8dB
• 전력-최대: 10.2W
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 300mA, 5V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
• 작동 온도: 200°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: 55BT
• 공급자 장치 패키지: 55BT

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

0204-125

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 60V 400MHZ 55JT

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
• 주파수-전환: 225MHz ~ 400MHz
• 노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
• 이득: 7dB ~ 8.5dB
• 전력-최대: 270W
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 16A
• 작동 온도: 200°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: 55JT
• 공급자 장치 패키지: 55JT

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

MS2207

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ M216

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
• 주파수-전환: 1.09GHz
• 노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
• 이득: 8dB
• 전력-최대: 880W
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 24A
• 작동 온도: 250°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: M216
• 공급자 장치 패키지: M216

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

MS2472

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M112

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
• 주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz
• 노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
• 이득: 5.6dB
• 전력-최대: 1350W
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 250mA, 5V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
• 작동 온도: 200°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: M112
• 공급자 장치 패키지: M112

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

BF240

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 40V 1.1GHZ TO92-3

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
• 주파수-전환: 1.1GHz
• 노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
• 이득: -
• 전력-최대: 350mW
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 10V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 공급자 장치 패키지: TO-92-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

MX0912B351Y,114

Ampleon

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2

• 제조업체: Ampleon USA Inc.
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
• 주파수-전환: 1.215GHz
• 노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
• 이득: 7.6dB
• 전력-최대: 960W
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 21A
• 작동 온도: 200°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-439A
• 공급자 장치 패키지: CDFM2

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

MRF422

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 35V 211-11

• 제조업체: M/A-Com Technology Solutions
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 35V
• 주파수-전환: -
• 노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
• 이득: 13dB
• 전력-최대: 150W
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 5A, 5V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: 211-11, Style 2
• 공급자 장치 패키지: 211-11, Style 2

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

PH1090-75L

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 70V

• 제조업체: M/A-Com Technology Solutions
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V
• 주파수-전환: -
• 노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
• 이득: 10.70dB ~ 10.81dB
• 전력-최대: 75W
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
• 작동 온도: 200°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: -
• 공급자 장치 패키지: -

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

MRF428

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 55V 211-11

• 제조업체: M/A-Com Technology Solutions
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V
• 주파수-전환: -
• 노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
• 이득: 15dB
• 전력-최대: 150W
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: 211-11, Style 2
• 공급자 장치 패키지: 211-11, Style 2

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

BB804,215

NXP

배 랙터 다이오드

DIODE VHF VAR CAP DUAL SOT23

• 제조업체: NXP USA Inc.
• 시리즈: -
• 커패시턴스 @ Vr, F: 46.5pF @ 2V, 1MHz
• 커패시턴스 비율: 1.75
• 커패시턴스 비율 조건: C2/C8
• 전압-피크 역방향 (최대): 18V
• 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode
• Q @ Vr, F: -
• 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

BB55502VH7912XTSA1

Infineon Technologies

배 랙터 다이오드

DIODE VAR CAP 30V 20MA SC79

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 커패시턴스 @ Vr, F: 2.3pF @ 28V, 1MHz
• 커패시턴스 비율: 9.8
• 커패시턴스 비율 조건: C1/C28
• 전압-피크 역방향 (최대): 30V
• 다이오드 유형: Single
• Q @ Vr, F: -
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-79, SOD-523
• 공급자 장치 패키지: PG-SC79-2

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

BBY5803WE6327HTSA1

Infineon Technologies

배 랙터 다이오드

DIODE TUNING 10V 20MA SOD-323

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 커패시턴스 @ Vr, F: 5.5pF @ 6V, 1MHz
• 커패시턴스 비율: 3.5
• 커패시턴스 비율 조건: C1/C4
• 전압-피크 역방향 (최대): 10V
• 다이오드 유형: Single
• Q @ Vr, F: -
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-76, SOD-323
• 공급자 장치 패키지: PG-SOD323-2

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

BB148,115

NXP

배 랙터 다이오드

DIODE VHF VAR CAP 30V SOD323

• 제조업체: NXP USA Inc.
• 시리즈: -
• 커패시턴스 @ Vr, F: 2.75pF @ 28V, 1MHz
• 커패시턴스 비율: 15
• 커패시턴스 비율 조건: C1/C28
• 전압-피크 역방향 (최대): 30V
• 다이오드 유형: Single
• Q @ Vr, F: -
• 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-76, SOD-323
• 공급자 장치 패키지: SOD-323

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

BBY5702WH6327XTSA1

Infineon Technologies

배 랙터 다이오드

DIODE TUNING 10V 20MA SCD80

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 커패시턴스 @ Vr, F: 5.5pF @ 4V, 1MHz
• 커패시턴스 비율: 4.5
• 커패시턴스 비율 조건: C1/C4
• 전압-피크 역방향 (최대): 10V
• 다이오드 유형: Single
• Q @ Vr, F: -
• 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-80
• 공급자 장치 패키지: SCD-80

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

BBY6605WH6327XTSA1

Infineon Technologies

배 랙터 다이오드

DIODE TUNING 12V 50MA SOT323

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 커패시턴스 @ Vr, F: 13.5pF @ 4.5V, 1MHz
• 커패시턴스 비율: 5.41
• 커패시턴스 비율 조건: C1/C4.5
• 전압-피크 역방향 (최대): 12V
• 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode
• Q @ Vr, F: -
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
• 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

BBY5602WH6327XTSA1

Infineon Technologies

배 랙터 다이오드

DIODE TUNING 10V 20MA SCD80

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 커패시턴스 @ Vr, F: 12.1pF @ 4V, 1MHz
• 커패시턴스 비율: 3.3
• 커패시턴스 비율 조건: C1/C3
• 전압-피크 역방향 (최대): 10V
• 다이오드 유형: Single
• Q @ Vr, F: -
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-80
• 공급자 장치 패키지: SCD-80

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

BBY5502WH6327XTSA1

Infineon Technologies

배 랙터 다이오드

DIODE TUNING 16V 20MA SCD80

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 커패시턴스 @ Vr, F: 6.5pF @ 10V, 1MHz
• 커패시턴스 비율: 3
• 커패시턴스 비율 조건: C2/C10
• 전압-피크 역방향 (최대): 16V
• 다이오드 유형: Single
• Q @ Vr, F: -
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-80
• 공급자 장치 패키지: SCD-80

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

BB68902VH7902XTSA1

Infineon Technologies

배 랙터 다이오드

DIODE TUNING 30V 20MA SC79

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 커패시턴스 @ Vr, F: 2.9pF @ 28V, 1MHz
• 커패시턴스 비율: 23.2
• 커패시턴스 비율 조건: C1/C28
• 전압-피크 역방향 (최대): 30V
• 다이오드 유형: Single
• Q @ Vr, F: -
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-79, SOD-523
• 공급자 장치 패키지: PG-SC79-2

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

BB831E7904HTSA1

Infineon Technologies

배 랙터 다이오드

DIODE VAR CAP 30V 20MA SOD-323

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 커패시턴스 @ Vr, F: 1.2pF @ 28V, 1MHz
• 커패시턴스 비율: 9.5
• 커패시턴스 비율 조건: C1/C28
• 전압-피크 역방향 (최대): 30V
• 다이오드 유형: Single
• Q @ Vr, F: -
• 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-76, SOD-323
• 공급자 장치 패키지: PG-SOD323-2

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

MMBV409LT1G

ON Semiconductor

배 랙터 다이오드

DIODE TUNING SS 20V SOT-23

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• 커패시턴스 @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz
• 커패시턴스 비율: 1.9
• 커패시턴스 비율 조건: C3/C8
• 전압-피크 역방향 (최대): 20V
• 다이오드 유형: Single
• Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz
• 작동 온도: 125°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

MMBV409LT1

ON Semiconductor

배 랙터 다이오드

DIODE TUNING SS 20V SOT-23

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• 커패시턴스 @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz
• 커패시턴스 비율: 1.9
• 커패시턴스 비율 조건: C3/C8
• 전압-피크 역방향 (최대): 20V
• 다이오드 유형: Single
• Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz
• 작동 온도: 125°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

1SV322(TPH3,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

배 랙터 다이오드

DIODE VARACTOR 10V USC

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 커패시턴스 @ Vr, F: 7.1pF @ 4V, 1MHz
• 커패시턴스 비율: 4.3
• 커패시턴스 비율 조건: C1/C4
• 전압-피크 역방향 (최대): 10V
• 다이오드 유형: Single
• Q @ Vr, F: -
• 작동 온도: 125°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-76, SOD-323
• 공급자 장치 패키지: USC

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

MA27V1600L

Panasonic Electronic Components

배 랙터 다이오드

DIODE VARIABLE CAP 6V SSSMINI-2P

• 제조업체: Panasonic Electronic Components
• 시리즈: -
• 커패시턴스 @ Vr, F: 8.37pF @ 3V, 1MHz
• 커패시턴스 비율: 2.35
• 커패시턴스 비율 조건: C1/C3
• 전압-피크 역방향 (최대): 6V
• 다이오드 유형: Single
• Q @ Vr, F: -
• 작동 온도: 125°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 2-SMD, Flat Lead
• 공급자 장치 패키지: SSSMini2-F1

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

MA26V0700A

Panasonic Electronic Components

배 랙터 다이오드

DIODE VARIABLE CAP 6V 1006

• 제조업체: Panasonic Electronic Components
• 시리즈: -
• 커패시턴스 @ Vr, F: 1.62pF @ 3V, 1MHz
• 커패시턴스 비율: 2.02
• 커패시턴스 비율 조건: C1/C3
• 전압-피크 역방향 (최대): 6V
• 다이오드 유형: Single
• Q @ Vr, F: -
• 작동 온도: 125°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
• 공급자 장치 패키지: ML3-N2

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

MMBV809LT1G

ON Semiconductor

배 랙터 다이오드

DIODE TUNING SS 20V SOT23

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• 커패시턴스 @ Vr, F: 6.1pF @ 2V, 1MHz
• 커패시턴스 비율: 2.6
• 커패시턴스 비율 조건: C2/C8
• 전압-피크 역방향 (최대): 20V
• 다이오드 유형: Single
• Q @ Vr, F: 75 @ 3V, 500MHz
• 작동 온도: 125°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

MMBV2109LT1G

ON Semiconductor

배 랙터 다이오드

DIODE TUNING SS 30V SOT23

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• 커패시턴스 @ Vr, F: 36.3pF @ 4V, 1MHz
• 커패시턴스 비율: 3.2
• 커패시턴스 비율 조건: C2/C30
• 전압-피크 역방향 (최대): 30V
• 다이오드 유형: Single
• Q @ Vr, F: 200 @ 4V, 50MHz
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

MMBV2101LT1G

ON Semiconductor

배 랙터 다이오드

DIODE TUNING SS 30V SOT23

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• 커패시턴스 @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz
• 커패시턴스 비율: 3.2
• 커패시턴스 비율 조건: C2/C30
• 전압-피크 역방향 (최대): 30V
• 다이오드 유형: Single
• Q @ Vr, F: 450 @ 4V, 50MHz
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

BBY31,215

NXP

배 랙터 다이오드

DIODE UHF VAR CAP 30V SOT-23

• 제조업체: NXP USA Inc.
• 시리즈: -
• 커패시턴스 @ Vr, F: 2pF @ 28V, 1MHz
• 커패시턴스 비율: 8.3
• 커패시턴스 비율 조건: C1/C28
• 전압-피크 역방향 (최대): 30V
• 다이오드 유형: Single
• Q @ Vr, F: -
• 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

MA2SV0700L

Panasonic Electronic Components

배 랙터 다이오드

DIODE VARIABLE CAP 6V SSMINI-2P

• 제조업체: Panasonic Electronic Components
• 시리즈: -
• 커패시턴스 @ Vr, F: 1.62pF @ 3V, 1MHz
• 커패시턴스 비율: 2.02
• 커패시턴스 비율 조건: C1/C3
• 전압-피크 역방향 (최대): 6V
• 다이오드 유형: Single
• Q @ Vr, F: -
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-80
• 공급자 장치 패키지: SSMini2-F2

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

MMBV809LT1

ON Semiconductor

배 랙터 다이오드

DIODE TUNING SS 20V SOT23

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• 커패시턴스 @ Vr, F: 6.1pF @ 2V, 1MHz
• 커패시턴스 비율: 2.6
• 커패시턴스 비율 조건: C2/C8
• 전압-피크 역방향 (최대): 20V
• 다이오드 유형: Single
• Q @ Vr, F: 75 @ 3V, 500MHz
• 작동 온도: 125°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

장바구니에 추가장바구니에 업데이트