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JANTX1N5417
JANTX1N5417

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/411
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 9A
  • 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): 150ns
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 200V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: -
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: B, Axial
  • 공급자 장치 패키지: -
  • 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C
재고 있음500
1N5620US
1N5620US

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io): 1A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 3A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): 2µs
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 800V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: -
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SQ-MELF, A
  • 공급자 장치 패키지: D-5A
  • 작동 온도-접합: -65°C ~ 200°C
재고 있음245
VS-87HF20
VS-87HF20

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 200V 85A DO203AB

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
  • 전류-평균 정류 (Io): 85A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 267A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: -
  • 커패시턴스 @ Vr, F: -
  • 장착 유형: Chassis, Stud Mount
  • 패키지 / 케이스: DO-203AB, DO-5, Stud
  • 공급자 장치 패키지: DO-203AB (DO-5)
  • 작동 온도-접합: -65°C ~ 180°C
재고 있음120
JANTX1N6638U
JANTX1N6638U

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 125V 300MA B-MELF

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/578
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 125V
  • 전류-평균 정류 (Io): 300mA (DC)
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 200mA
  • 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): 4.5ns
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 125V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: -
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SQ-MELF, B
  • 공급자 장치 패키지: D-5B
  • 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C
재고 있음209
1N1183A
1N1183A

GeneSiC Semiconductor

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 50V 40A DO203AB

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 50V
  • 전류-평균 정류 (Io): 40A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 40A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 50V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: -
  • 장착 유형: Chassis, Stud Mount
  • 패키지 / 케이스: DO-203AB, DO-5, Stud
  • 공급자 장치 패키지: DO-203AB
  • 작동 온도-접합: -65°C ~ 200°C
재고 있음24
VS-72HF40
VS-72HF40

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 400V 70A DO203AB

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
  • 전류-평균 정류 (Io): 70A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.35V @ 220A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: -
  • 커패시턴스 @ Vr, F: -
  • 장착 유형: Chassis, Stud Mount
  • 패키지 / 케이스: DO-203AB, DO-5, Stud
  • 공급자 장치 패키지: DO-203AB (DO-5)
  • 작동 온도-접합: -65°C ~ 180°C
재고 있음209
1N2133A
1N2133A

GeneSiC Semiconductor

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 300V 60A DO5

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 300V
  • 전류-평균 정류 (Io): 60A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 60A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 50V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: -
  • 장착 유형: Chassis, Stud Mount
  • 패키지 / 케이스: DO-203AB, DO-5, Stud
  • 공급자 장치 패키지: DO-5
  • 작동 온도-접합: -65°C ~ 200°C
재고 있음204
1N1187
1N1187

GeneSiC Semiconductor

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 300V 35A DO5

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 300V
  • 전류-평균 정류 (Io): 35A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 35A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 50V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: -
  • 장착 유형: Chassis, Stud Mount
  • 패키지 / 케이스: DO-203AB, DO-5, Stud
  • 공급자 장치 패키지: DO-5
  • 작동 온도-접합: -65°C ~ 190°C
재고 있음388
1N1186R
1N1186R

GeneSiC Semiconductor

정류기-싱글

DIODE GEN PURP REV 200V 35A DO5

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Standard, Reverse Polarity
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
  • 전류-평균 정류 (Io): 35A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 35A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 50V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: -
  • 장착 유형: Chassis, Stud Mount
  • 패키지 / 케이스: DO-203AB, DO-5, Stud
  • 공급자 장치 패키지: DO-5
  • 작동 온도-접합: -65°C ~ 190°C
재고 있음14
1N1186
1N1186

GeneSiC Semiconductor

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 200V 35A DO5

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
  • 전류-평균 정류 (Io): 35A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 35A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 50V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: -
  • 장착 유형: Chassis, Stud Mount
  • 패키지 / 케이스: DO-203AB, DO-5, Stud
  • 공급자 장치 패키지: DO-5
  • 작동 온도-접합: -65°C ~ 190°C
재고 있음257
1N3768
1N3768

GeneSiC Semiconductor

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 1KV 35A DO5

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V
  • 전류-평균 정류 (Io): 35A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 35A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 50V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: -
  • 장착 유형: Chassis, Stud Mount
  • 패키지 / 케이스: DO-203AB, DO-5, Stud
  • 공급자 장치 패키지: DO-5
  • 작동 온도-접합: -65°C ~ 190°C
재고 있음259
1N1188
1N1188

GeneSiC Semiconductor

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 400V 35A DO5

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
  • 전류-평균 정류 (Io): 35A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 35A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 50V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: -
  • 장착 유형: Chassis, Stud Mount
  • 패키지 / 케이스: DO-203AB, DO-5, Stud
  • 공급자 장치 패키지: DO-5
  • 작동 온도-접합: -65°C ~ 190°C
재고 있음2,151
1N1190
1N1190

GeneSiC Semiconductor

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 35A DO5

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
  • 전류-평균 정류 (Io): 35A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 35A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 50V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: -
  • 장착 유형: Chassis, Stud Mount
  • 패키지 / 케이스: DO-203AB, DO-5, Stud
  • 공급자 장치 패키지: DO-5
  • 작동 온도-접합: -65°C ~ 190°C
재고 있음136
1N5553
1N5553

Semtech

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 800V 5A AXIAL

  • 제조업체: Semtech Corporation
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io): 5A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): 2µs
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 800V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: 92pF @ 5V, 1MHz
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: Axial
  • 공급자 장치 패키지: Axial
  • 작동 온도-접합: -
재고 있음57
JAN1N5811
JAN1N5811

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/477
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 150V
  • 전류-평균 정류 (Io): 6A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 875mV @ 4A
  • 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): 30ns
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 150V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: B, Axial
  • 공급자 장치 패키지: -
  • 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C
재고 있음132
1N5819-1
1N5819-1

Microsemi

정류기-싱글

DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO204AL

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Schottky
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 45V
  • 전류-평균 정류 (Io): 1A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 340mV @ 1A
  • 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 50µA @ 45V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: 70pF @ 5V, 1MHz
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: DO-204AL, DO-41, Axial
  • 공급자 장치 패키지: DO-204AL (DO-41)
  • 작동 온도-접합: -65°C ~ 125°C
재고 있음3,920
JANTX1N5551
JANTX1N5551

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 400V 5A AXIAL

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/420
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
  • 전류-평균 정류 (Io): 5A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 9A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): 2µs
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 400V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: -
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: B, Axial
  • 공급자 장치 패키지: -
  • 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C
재고 있음10,175
JAN1N5806
JAN1N5806

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/477
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 150V
  • 전류-평균 정류 (Io): 2.5A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 975mV @ 2.5A
  • 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): 25ns
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 150V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: A, Axial
  • 공급자 장치 패키지: -
  • 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C
재고 있음1,382
1N3208
1N3208

GeneSiC Semiconductor

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 50V 15A DO5

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 50V
  • 전류-평균 정류 (Io): 15A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 15A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 50V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: -
  • 장착 유형: Chassis, Stud Mount
  • 패키지 / 케이스: DO-203AB, DO-5, Stud
  • 공급자 장치 패키지: DO-5
  • 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C
재고 있음266
JANTX1N3612
JANTX1N3612

Semtech

정류기-싱글

D MET 1A STD 400V HR

  • 제조업체: Semtech Corporation
  • 시리즈: *
  • 다이오드 유형: -
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): -
  • 전류-평균 정류 (Io): -
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: -
  • 속도: -
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: -
  • 커패시턴스 @ Vr, F: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
  • 작동 온도-접합: -
재고 있음31
FFSP20120A
FFSP20120A

ON Semiconductor

정류기-싱글

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO220-2

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V
  • 전류-평균 정류 (Io): 20A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.75V @ 20A
  • 속도: No Recovery Time > 500mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): 0ns
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 200µA @ 1200V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: 1220pF @ 1V, 100KHz
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-2
  • 공급자 장치 패키지: TO-220-2L
  • 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C
재고 있음4,112
APT100DL60BG
APT100DL60BG

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 100A TO247

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
  • 전류-평균 정류 (Io): 100A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.6V @ 100A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: -
  • 커패시턴스 @ Vr, F: -
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-2
  • 공급자 장치 패키지: TO-247
  • 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C
재고 있음508
FFSB20120A
FFSB20120A

ON Semiconductor

정류기-싱글

DIODE SBD 10A 120V D2PAK-3

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: *
  • 다이오드 유형: -
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): -
  • 전류-평균 정류 (Io): -
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: -
  • 속도: -
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: -
  • 커패시턴스 @ Vr, F: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
  • 작동 온도-접합: -
재고 있음778
1N5418
1N5418

Semtech

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 400V 4.5A AXIAL

  • 제조업체: Semtech Corporation
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
  • 전류-평균 정류 (Io): 4.5A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 3A
  • 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): 150ns
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 400V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: 165pF @ 4V, 1MHz
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: Axial
  • 공급자 장치 패키지: Axial
  • 작동 온도-접합: -
재고 있음1,934
VS-40HF120
VS-40HF120

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 1.2KV 40A DO203AB

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V
  • 전류-평균 정류 (Io): 40A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 125A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 9mA @ 1200V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: -
  • 장착 유형: Chassis, Stud Mount
  • 패키지 / 케이스: DO-203AB, DO-5, Stud
  • 공급자 장치 패키지: DO-203AB
  • 작동 온도-접합: -65°C ~ 190°C
재고 있음341
DH60-14A
DH60-14A

IXYS

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 1.4KV 60A TO247AD

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1400V
  • 전류-평균 정류 (Io): 60A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.04V @ 60A
  • 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): 230ns
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 200µA @ 1200V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: 32pF @ 1200V, 1MHz
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-2
  • 공급자 장치 패키지: TO-247AD
  • 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
재고 있음529
VS-60EPS08-M3
VS-60EPS08-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 800V 60A TO247AC

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io): 60A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.09V @ 60A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 100µA @ 800V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: -
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-2
  • 공급자 장치 패키지: TO-247AC Modified
  • 작동 온도-접합: -40°C ~ 150°C
재고 있음1,323
1N1186AR
1N1186AR

GeneSiC Semiconductor

정류기-싱글

DIODE GEN PURP REV 200V 40A DO5

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Standard, Reverse Polarity
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
  • 전류-평균 정류 (Io): 40A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 40A
  • 속도: -
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 50V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: -
  • 장착 유형: Chassis, Stud Mount
  • 패키지 / 케이스: DO-203AB, DO-5, Stud
  • 공급자 장치 패키지: DO-5
  • 작동 온도-접합: -65°C ~ 190°C
재고 있음14
CDLL5817
CDLL5817

Microsemi

정류기-싱글

DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO213AB

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Schottky
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 20V
  • 전류-평균 정류 (Io): 1A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 600mV @ 1A
  • 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 100µA @ 20V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: -
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: DO-213AB, MELF
  • 공급자 장치 패키지: DO-213AB
  • 작동 온도-접합: -55°C ~ 125°C
재고 있음6,399
VS-40HF80
VS-40HF80

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 800V 40A DO203AB

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io): 40A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 125A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 9mA @ 800V
  • 커패시턴스 @ Vr, F: -
  • 장착 유형: Chassis, Stud Mount
  • 패키지 / 케이스: DO-203AB, DO-5, Stud
  • 공급자 장치 패키지: DO-203AB
  • 작동 온도-접합: -65°C ~ 190°C
재고 있음1,338