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S1FLJ-GS08

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GP 600V 700MA DO219AB

• 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
• 전류-평균 정류 (Io): 700mA
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 1.8µs
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 600V
• 커패시턴스 @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: DO-219AB
• 공급자 장치 패키지: DO-219AB (SMF)
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

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RS3DB-13-F

Diodes Incorporated

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 200V 3A SMB

• 제조업체: Diodes Incorporated
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
• 전류-평균 정류 (Io): 3A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 3A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 150ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 200V
• 커패시턴스 @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: DO-214AB, SMC
• 공급자 장치 패키지: SMC
• 작동 온도-접합: -65°C ~ 150°C

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1SS196(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 80V
• 전류-평균 정류 (Io): 100mA
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 100mA
• 속도: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
• 역 복구 시간 (trr): 4ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 80V
• 커패시턴스 @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: SC-59-3
• 작동 온도-접합: 125°C (Max)

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RS07D-GS08

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GP 200V 500MA DO219AB

• 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
• 전류-평균 정류 (Io): 500mA
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.15V @ 700mA
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 150ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 200V
• 커패시턴스 @ Vr, F: 9pF @ 4V, 1MHz
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: DO-219AB
• 공급자 장치 패키지: DO-219AB (SMF)
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

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1PS70SB10,115

Nexperia

정류기-싱글

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 30V
• 전류-평균 정류 (Io): 200mA (DC)
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 800mV @ 100mA
• 속도: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 2µA @ 25V
• 커패시턴스 @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
• 공급자 장치 패키지: SC-70
• 작동 온도-접합: 150°C (Max)

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FS1M-TP

Micro Commercial Co

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

• 제조업체: Micro Commercial Co
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V
• 전류-평균 정류 (Io): 1A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 1A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 500ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 1000V
• 커패시턴스 @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: DO-214AC, SMA
• 공급자 장치 패키지: DO-214AC (HSMA)
• 작동 온도-접합: -50°C ~ 150°C

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MBR8045

GeneSiC Semiconductor

정류기-싱글

DIODE SCHOTTKY 45V 80A DO5

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 45V
• 전류-평균 정류 (Io): 80A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 650mV @ 80A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 1mA @ 45V
• 커패시턴스 @ Vr, F: -
• 장착 유형: Chassis, Stud Mount
• 패키지 / 케이스: DO-203AB, DO-5, Stud
• 공급자 장치 패키지: DO-5
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

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C4D10120H

Cree/Wolfspeed

정류기-싱글

ZRECTM 10A 1200V SIC SCHOTTKY DI

• 제조업체: Cree/Wolfspeed
• 시리즈: Z-Rec®
• 다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V
• 전류-평균 정류 (Io): 31.5A (DC)
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 10A
• 속도: No Recovery Time > 500mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 0ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 250µA @ 1200V
• 커패시턴스 @ Vr, F: 754pF @ 0V, 1MHz
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-247-2
• 공급자 장치 패키지: TO-247-2
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C

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C6D10065A

Cree/Wolfspeed

정류기-싱글

10A 650V G6 ZREC SIC SCHOTTKY DI

• 제조업체: Cree/Wolfspeed
• 시리즈: Z-Rec®
• 다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V
• 전류-평균 정류 (Io): 37A (DC)
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 10A
• 속도: No Recovery Time > 500mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 0ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 50µA @ 650V
• 커패시턴스 @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-220-2
• 공급자 장치 패키지: TO-220-2
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C

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STPSC20065D

STMicroelectronics

정류기-싱글

DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO220AC

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: ECOPACK®2
• 다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V
• 전류-평균 정류 (Io): 20A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.45V @ 20A
• 속도: No Recovery Time > 500mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 0ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 300µA @ 650V
• 커패시턴스 @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-220-2
• 공급자 장치 패키지: TO-220AC
• 작동 온도-접합: -40°C ~ 175°C

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FFSP10120A

ON Semiconductor

정류기-싱글

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V
• 전류-평균 정류 (Io): 10A (DC)
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.75V @ 10A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 200µA @ 1200V
• 커패시턴스 @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-220-2
• 공급자 장치 패키지: TO-220-2L
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C

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IDH12G65C6XKSA1

Infineon Technologies

정류기-싱글

DIODE SCHOTTKY 650V 27A TO220-2

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V
• 전류-평균 정류 (Io): 27A (DC)
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.35V @ 12A
• 속도: No Recovery Time > 500mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 0ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 40µA @ 420V
• 커패시턴스 @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-220-2
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220-2
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C

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IDH10G65C6XKSA1

Infineon Technologies

정류기-싱글

DIODE SCHOTTKY 650V 24A TO220-2

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V
• 전류-평균 정류 (Io): 24A (DC)
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.35V @ 10A
• 속도: No Recovery Time > 500mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 0ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 33µA @ 420V
• 커패시턴스 @ Vr, F: 495pF @ 1V, 1MHz
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-220-2
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220-2
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C

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STPSC10065D

STMicroelectronics

정류기-싱글

DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: ECOPACK®2
• 다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V
• 전류-평균 정류 (Io): 10A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.45V @ 10A
• 속도: No Recovery Time > 500mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 0ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 130µA @ 650V
• 커패시턴스 @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-220-2
• 공급자 장치 패키지: TO-220AC
• 작동 온도-접합: -40°C ~ 175°C

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RS2K-E3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AA

• 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
• 전류-평균 정류 (Io): 1.5A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 1.5A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 500ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V
• 커패시턴스 @ Vr, F: 17pF @ 4V, 1MHz
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: DO-214AA, SMB
• 공급자 장치 패키지: DO-214AA (SMB)
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

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BYV26A-TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE AVALANCHE 200V 1A SOD57

• 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Avalanche
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
• 전류-평균 정류 (Io): 1A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.5V @ 1A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 30ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 200V
• 커패시턴스 @ Vr, F: -
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: SOD-57, Axial
• 공급자 장치 패키지: SOD-57
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C

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1N4936GP-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

• 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 시리즈: SUPERECTIFIER®
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
• 전류-평균 정류 (Io): 1A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 200ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 400V
• 커패시턴스 @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: DO-204AL, DO-41, Axial
• 공급자 장치 패키지: DO-204AL (DO-41)
• 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

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VS-HFA30PB120-N3

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247AC

• 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V
• 전류-평균 정류 (Io): 30A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 4.1V @ 30A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 170ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 40µA @ 1200V
• 커패시턴스 @ Vr, F: -
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-247-2
• 공급자 장치 패키지: TO-247AC Modified
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

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SCS210KE2C

Rohm Semiconductor

정류기-싱글

DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO247

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V
• 전류-평균 정류 (Io): 10A (DC)
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: -
• 속도: No Recovery Time > 500mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 0ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: -
• 커패시턴스 @ Vr, F: -
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-247-3
• 공급자 장치 패키지: TO-247
• 작동 온도-접합: 175°C (Max)

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STPSC20H12DY

STMicroelectronics

정류기-싱글

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO220AC

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2
• 다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V
• 전류-평균 정류 (Io): 20A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 20A
• 속도: No Recovery Time > 500mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 0ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 120µA @ 1200V
• 커패시턴스 @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-220-2
• 공급자 장치 패키지: TO-220AC
• 작동 온도-접합: -40°C ~ 175°C

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

STPSC20H12D

STMicroelectronics

정류기-싱글

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO220AC

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V
• 전류-평균 정류 (Io): 20A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 20A
• 속도: No Recovery Time > 500mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 0ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 120µA @ 1200V
• 커패시턴스 @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-220-2
• 공급자 장치 패키지: TO-220AC
• 작동 온도-접합: -40°C ~ 175°C

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

1N3892

GeneSiC Semiconductor

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 400V 12A DO4

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
• 전류-평균 정류 (Io): 12A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.4V @ 12A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 200ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
• 커패시턴스 @ Vr, F: -
• 장착 유형: Chassis, Stud Mount
• 패키지 / 케이스: DO-203AA, DO-4, Stud
• 공급자 장치 패키지: DO-4
• 작동 온도-접합: -65°C ~ 150°C

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

VS-1N1188A

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 400V 40A DO203AB

• 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
• 전류-평균 정류 (Io): 40A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 126A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 2.5mA @ 400V
• 커패시턴스 @ Vr, F: -
• 장착 유형: Chassis, Stud Mount
• 패키지 / 케이스: DO-203AB, DO-5, Stud
• 공급자 장치 패키지: DO-203AB
• 작동 온도-접합: -65°C ~ 200°C

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

STPSC20065DY

STMicroelectronics

정류기-싱글

DIODE SCHTKY 650V 20A TO220AC

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2
• 다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V
• 전류-평균 정류 (Io): 20A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.45V @ 20A
• 속도: No Recovery Time > 500mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 0ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 150µA @ 600V
• 커패시턴스 @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-220-2
• 공급자 장치 패키지: TO-220AC
• 작동 온도-접합: -40°C ~ 175°C

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SCS206AGHRC

Rohm Semiconductor

정류기-싱글

DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO-220-2

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• 다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V
• 전류-평균 정류 (Io): 6A (DC)
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.55V @ 6A
• 속도: No Recovery Time > 500mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 0ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 120µA @ 600V
• 커패시턴스 @ Vr, F: 219pF @ 1V, 1MHz
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-220-2
• 공급자 장치 패키지: TO-220AC
• 작동 온도-접합: 175°C (Max)

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STTH30S12W

STMicroelectronics

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A DO247

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V
• 전류-평균 정류 (Io): 30A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.9V @ 30A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 50ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 15µA @ 1200V
• 커패시턴스 @ Vr, F: -
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: DO-247-2 (Straight Leads)
• 공급자 장치 패키지: DO-247
• 작동 온도-접합: 175°C (Max)

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STTH810DI

STMicroelectronics

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220AB

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V
• 전류-평균 정류 (Io): 8A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2V @ 8A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 85ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 1000V
• 커패시턴스 @ Vr, F: -
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-220-3
• 공급자 장치 패키지: TO-220Ins
• 작동 온도-접합: 175°C (Max)

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SCS220KGHRC

Rohm Semiconductor

정류기-싱글

DIODE SCHOTTKY 1200V 20A TO220-2

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• 다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V
• 전류-평균 정류 (Io): 20A (DC)
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.6V @ 20A
• 속도: No Recovery Time > 500mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 0ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 400µA @ 1200V
• 커패시턴스 @ Vr, F: 1060pF @ 1V, 1MHz
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-220-2
• 공급자 장치 패키지: TO-220AC
• 작동 온도-접합: 175°C (Max)

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C4D15120A

Cree/Wolfspeed

정류기-싱글

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2

• 제조업체: Cree/Wolfspeed
• 시리즈: Z-Rec®
• 다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V
• 전류-평균 정류 (Io): 43.5A (DC)
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 15A
• 속도: No Recovery Time > 500mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 0ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 200µA @ 1200V
• 커패시턴스 @ Vr, F: 1200pF @ 0V, 1MHz
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-220-2
• 공급자 장치 패키지: TO-220-2
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C

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VS-HFA30PB120PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247AC

• 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 시리즈: HEXFRED®
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V
• 전류-평균 정류 (Io): 30A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 4.1V @ 30A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 170ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 40µA @ 1200V
• 커패시턴스 @ Vr, F: -
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-247-2
• 공급자 장치 패키지: TO-247AC Modified
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

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