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IRG4PC40UD-EPBF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 40A 160W TO247AD 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A 전력-최대: 160W 에너지 전환: 710µJ (on), 350µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 100nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 54ns/110ns 테스트 조건: 480V, 20A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 42ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AC	재고 있음289
FGH30S150P ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1500V 60A TO-247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1500V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A 전류-수집기 펄스 (Icm): 90A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A 전력-최대: 500W 에너지 전환: 1.16mJ (on), 900µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 369nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 32ns/492ns 테스트 조건: 600V, 30A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음2,802
IXBX55N300 IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 3000V 130A 625W PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: BIMOSFET™ IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3000V 전류-수집기 (Ic) (최대): 130A 전류-수집기 펄스 (Icm): 600A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 55A 전력-최대: 625W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 335nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): 1.9µs 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3	재고 있음2,277
IXBH32N300 IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 3000V 80A 400W TO247 제조업체: IXYS 시리즈: BIMOSFET™ IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3000V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전류-수집기 펄스 (Icm): 280A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 32A 전력-최대: 400W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 142nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): 1.5µs 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXBH)	재고 있음1,259
IXLF19N250A IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 2500V 32A 250W I4PAC 제조업체: IXYS 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2500V 전류-수집기 (Ic) (최대): 32A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 19A 전력-최대: 250W 에너지 전환: 15mJ (on), 30mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 142nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: 1500V, 19A, 47Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: i4-Pac™-5 (3 Leads) 공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™	재고 있음354
APT75GP120B2G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 100A 1042W TMAX 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전류-수집기 펄스 (Icm): 300A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A 전력-최대: 1042W 에너지 전환: 1620µJ (on), 2500µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 320nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/163ns 테스트 조건: 600V, 75A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant 공급자 장치 패키지: -	재고 있음259
IXBH12N300 IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 3000V 30A 160W TO247 제조업체: IXYS 시리즈: BIMOSFET™ IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3000V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전류-수집기 펄스 (Icm): 100A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A 전력-최대: 160W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 62nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): 1.4µs 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXBH)	재고 있음51
IRGPS60B120KDP Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 105A 595W SUPER247 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 105A 전류-수집기 펄스 (Icm): 240A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 60A 전력-최대: 595W 에너지 전환: 3.21mJ (on), 4.78mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 340nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: 600V, 15A, 4.7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 180ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-274AA 공급자 장치 패키지: SUPER-247™ (TO-274AA)	견적 요청
IXGH32N170 IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1700V 75A 350W TO247AD 제조업체: IXYS 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 32A 전력-최대: 350W 에너지 전환: 11mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 155nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 45ns/270ns 테스트 조건: 1020V, 32A, 2.7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXGH)	재고 있음2,891
AIKQ120N60CTXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IC DISCRETE 600V TO247-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™ IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 160A 전류-수집기 펄스 (Icm): 480A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 120A 전력-최대: 833W 에너지 전환: 4.1mJ (on), 2.8mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 772nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 33ns/310ns 테스트 조건: 400V, 120A, 3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-46	재고 있음4,846
IKW75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 650V 75A FAST DIODE TO247-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: TrenchStop™ 5 IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전류-수집기 펄스 (Icm): 300A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A 전력-최대: 536W 에너지 전환: 1.61mJ (on), 3.2mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 436nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 40ns/275ns 테스트 조건: 400V, 75A, 4Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 114ns 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3	재고 있음4,367
IRG4PC50FDPBF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 70A 200W TO247AC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70A 전류-수집기 펄스 (Icm): 280A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 39A 전력-최대: 200W 에너지 전환: 1.5mJ (on), 2.4mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 190nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 55ns/240ns 테스트 조건: 480V, 39A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 50ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AC	재고 있음472
IRG4PH50UPBF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 45A 200W TO247AC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 45A 전류-수집기 펄스 (Icm): 180A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 24A 전력-최대: 200W 에너지 전환: 530µJ (on), 1.41mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 160nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 35ns/200ns 테스트 조건: 960V, 24A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AC	재고 있음3,392
2SK3902(0)-ZK-E1-AY Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANSISTOR 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음229
2SJ648-T1-A Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANSISTOR 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음2,783
IXFN24N100F IXYS-RF	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B 제조업체: IXYS-RF 시리즈: HiPerRF™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 195nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 600W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음225
JANTXV2N7225 Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/592 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 27.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 115nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 4W (Ta), 150W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-254AA 패키지 / 케이스: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)	재고 있음3,955
JANTXV2N7224 Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 34A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/592 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 125nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 4W (Ta), 150W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-254AA 패키지 / 케이스: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)	재고 있음275
JANTXV2N6798 Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/557 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42.07nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 800mW (Ta), 25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-205AF (TO-39) 패키지 / 케이스: TO-205AF Metal Can	재고 있음422
JANTXV2N6766 Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/543 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 115nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 4W (Ta), 150W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3 패키지 / 케이스: TO-204AE	재고 있음55
JANTX2N7228U Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/592 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 120nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 4W (Ta), 150W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-267AB 패키지 / 케이스: TO-267AB	재고 있음5,601
JANTX2N7228 Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/592 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 120nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 4W (Ta), 150W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-254AA 패키지 / 케이스: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)	재고 있음398
JANTX2N7224 Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 34A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/592 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 125nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 4W (Ta), 150W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-254AA 패키지 / 케이스: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)	재고 있음8
JANTX2N6766 Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH TO-204AE TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/543 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 115nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 4W (Ta), 150W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3 패키지 / 케이스: TO-204AE	재고 있음6
JANTX2N6764 Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH TO-204AE TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/543 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 38A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 125nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 4W (Ta), 150W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3 패키지 / 케이스: TO-204AE	재고 있음277
JANTX2N6758 Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH TO-204AA TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/542 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 4W (Ta), 75W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3) 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3	재고 있음221
SUD35N05-26L-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 35A TO252 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 885pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 7.5W (Ta), 50W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak) 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음36,405
SUD23N06-31L-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V TO252 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 670pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta), 100W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak) 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음484
AOD200 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 14A TO252 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 36A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 50W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak) 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음7,684
IXFK66N50Q2 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 66A TO-264 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 66A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 200nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 735W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-264AA (IXFK) 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA	견적 요청

IRG4PC40UD-EPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 40A 160W TO247AD

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
전력-최대: 160W
에너지 전환: 710µJ (on), 350µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 100nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 54ns/110ns
테스트 조건: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 42ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AC

재고 있음289

FGH30S150P

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1500V 60A TO-247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1500V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
전류-수집기 펄스 (Icm): 90A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
전력-최대: 500W
에너지 전환: 1.16mJ (on), 900µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 369nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 32ns/492ns
테스트 조건: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음2,802

IXBX55N300

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 3000V 130A 625W PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: BIMOSFET™
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3000V
전류-수집기 (Ic) (최대): 130A
전류-수집기 펄스 (Icm): 600A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 55A
전력-최대: 625W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 335nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): 1.9µs
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3

재고 있음2,277

IXBH32N300

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 3000V 80A 400W TO247

제조업체: IXYS
시리즈: BIMOSFET™
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3000V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전류-수집기 펄스 (Icm): 280A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 32A
전력-최대: 400W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 142nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): 1.5µs
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXBH)

재고 있음1,259

IXLF19N250A

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 2500V 32A 250W I4PAC

제조업체: IXYS
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2500V
전류-수집기 (Ic) (최대): 32A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 19A
전력-최대: 250W
에너지 전환: 15mJ (on), 30mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 142nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: 1500V, 19A, 47Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: i4-Pac™-5 (3 Leads)
공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™

재고 있음354

APT75GP120B2G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 100A 1042W TMAX

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전류-수집기 펄스 (Icm): 300A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A
전력-최대: 1042W
에너지 전환: 1620µJ (on), 2500µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 320nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/163ns
테스트 조건: 600V, 75A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant
공급자 장치 패키지: -

재고 있음259

IXBH12N300

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 3000V 30A 160W TO247

제조업체: IXYS
시리즈: BIMOSFET™
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3000V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전류-수집기 펄스 (Icm): 100A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A
전력-최대: 160W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 62nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): 1.4µs
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXBH)

재고 있음51

IRGPS60B120KDP

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 105A 595W SUPER247

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 105A
전류-수집기 펄스 (Icm): 240A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 60A
전력-최대: 595W
에너지 전환: 3.21mJ (on), 4.78mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 340nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: 600V, 15A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 180ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-274AA
공급자 장치 패키지: SUPER-247™ (TO-274AA)

견적 요청

IXGH32N170

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1700V 75A 350W TO247AD

제조업체: IXYS
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 32A
전력-최대: 350W
에너지 전환: 11mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 155nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 45ns/270ns
테스트 조건: 1020V, 32A, 2.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXGH)

재고 있음2,891

AIKQ120N60CTXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IC DISCRETE 600V TO247-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 160A
전류-수집기 펄스 (Icm): 480A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 120A
전력-최대: 833W
에너지 전환: 4.1mJ (on), 2.8mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 772nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 33ns/310ns
테스트 조건: 400V, 120A, 3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-46

재고 있음4,846

IKW75N65EL5XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 75A FAST DIODE TO247-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: TrenchStop™ 5
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전류-수집기 펄스 (Icm): 300A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
전력-최대: 536W
에너지 전환: 1.61mJ (on), 3.2mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 436nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 40ns/275ns
테스트 조건: 400V, 75A, 4Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 114ns
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: PG-TO247-3

재고 있음4,367

IRG4PC50FDPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 70A 200W TO247AC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70A
전류-수집기 펄스 (Icm): 280A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 39A
전력-최대: 200W
에너지 전환: 1.5mJ (on), 2.4mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 190nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 55ns/240ns
테스트 조건: 480V, 39A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 50ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AC

재고 있음472

IRG4PH50UPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 45A 200W TO247AC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 45A
전류-수집기 펄스 (Icm): 180A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 24A
전력-최대: 200W
에너지 전환: 530µJ (on), 1.41mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 160nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 35ns/200ns
테스트 조건: 960V, 24A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AC

재고 있음3,392

2SK3902(0)-ZK-E1-AY

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANSISTOR

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음229

2SJ648-T1-A

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANSISTOR

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음2,783

IXFN24N100F

IXYS-RF

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B

제조업체: IXYS-RF
시리즈: HiPerRF™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 195nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 600W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음225

JANTXV2N7225

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/592
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 27.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 115nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 4W (Ta), 150W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-254AA
패키지 / 케이스: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

재고 있음3,955

JANTXV2N7224

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 34A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/592
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 125nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 4W (Ta), 150W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-254AA
패키지 / 케이스: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

재고 있음275

JANTXV2N6798

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/557
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42.07nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 800mW (Ta), 25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-205AF (TO-39)
패키지 / 케이스: TO-205AF Metal Can

재고 있음422

JANTXV2N6766

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/543
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 115nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 4W (Ta), 150W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3
패키지 / 케이스: TO-204AE

재고 있음55

JANTX2N7228U

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/592
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 120nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 4W (Ta), 150W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-267AB
패키지 / 케이스: TO-267AB

재고 있음5,601

JANTX2N7228

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/592
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 120nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 4W (Ta), 150W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-254AA
패키지 / 케이스: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

재고 있음398

JANTX2N7224

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 34A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/592
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 125nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 4W (Ta), 150W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-254AA
패키지 / 케이스: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

재고 있음8

JANTX2N6766

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH TO-204AE TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/543
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 115nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 4W (Ta), 150W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3
패키지 / 케이스: TO-204AE

재고 있음6

JANTX2N6764

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH TO-204AE TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/543
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 38A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 125nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 4W (Ta), 150W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3
패키지 / 케이스: TO-204AE

재고 있음277

JANTX2N6758

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH TO-204AA TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/542
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 4W (Ta), 75W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3

재고 있음221

SUD35N05-26L-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 35A TO252

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 885pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 7.5W (Ta), 50W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음36,405

SUD23N06-31L-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V TO252

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 670pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta), 100W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음484

AOD200

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 14A TO252

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 36A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음7,684

IXFK66N50Q2

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 66A TO-264

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 66A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 200nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 735W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-264AA (IXFK)
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA

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