10ETF10STRR
참조 용
| 부품 번호 | 10ETF10STRR |
| PNEDA 부품 번호 | 10ETF10STRR |
| 설명 | DIODE GEN PURP 1KV 10A D2PAK |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,130 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 1월 21 - 1월 26 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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10ETF10STRR 리소스
| 브랜드 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 10ETF10STRR |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
| 데이터 시트 |
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10ETF10STRR 사양
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 1000V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 10A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.33V @ 10A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 310ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 100µA @ 1000V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 공급자 장치 패키지 | TO-263AB (D²PAK) |
| 작동 온도-접합 | -40°C ~ 150°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 50V 전류-평균 정류 (Io) 5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 650mV @ 5A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 250µA @ 50V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214AB, SMC 공급자 장치 패키지 DO-214AB 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 40V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 600mV @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 100µA @ 10V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 2-XDFN 공급자 장치 패키지 SMD1006 작동 온도-접합 150°C (Max) |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/420 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 9A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 B, Axial 공급자 장치 패키지 - 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/420 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 800V 전류-평균 정류 (Io) 5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.3V @ 9A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 B, Axial 공급자 장치 패키지 - 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1000V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 1A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 1000V 커패시턴스 @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AL, DO-41, Axial 공급자 장치 패키지 DO-204AL (DO-41) 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
