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10MQ060N

10MQ060N

참조 용

부품 번호 10MQ060N
PNEDA 부품 번호 10MQ060N
설명 DIODE SCHOTTKY 60V 2.1A SMA
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 6,354
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예상 배송 4월 14 - 4월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

10MQ060N 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호10MQ060N
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
10MQ060N, 10MQ060N 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 147.53 KB)
PDF10MQ060NTR 데이터 시트 표지
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10MQ060N 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)60V
전류-평균 정류 (Io)2.1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If710mV @ 1.5A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr500µA @ 60V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AC, SMA
공급자 장치 패키지SMA
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

25ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

SR002HR1G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

500mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 500mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

110pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

작동 온도-접합

-55°C ~ 125°C

VS-EPH6007L-N3

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

*

다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-

FFSB3065B-F085

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

650V

전류-평균 정류 (Io)

73A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 30A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

40µA @ 650V

커패시턴스 @ Vr, F

1280pF @ 1V, 100kHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK-3 (TO-263)

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JANTX1N6638

Microsemi

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

125V

전류-평균 정류 (Io)

300mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

20ns

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 125V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

D, Axial

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

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