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11AA160T-I/TT

11AA160T-I/TT

참조 용

부품 번호 11AA160T-I/TT
PNEDA 부품 번호 11AA160T-I-TT
설명 IC EEPROM 16K SGL WIRE SOT23-3
제조업체 Microchip Technology
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

11AA160T-I/TT 리소스

브랜드 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호11AA160T-I/TT
분류반도체메모리 IC기억

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  • 11AA160T-I/TT Distributor

11AA160T-I/TT 사양

제조업체Microchip Technology
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스Single Wire
시계 주파수100kHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지5ms
접근 시간-
전압-공급1.8V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3

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제조업체

Fremont Micro Devices Ltd

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

800kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

700ns

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

IS42S16800D-75EBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

128Mb (8M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

6.5ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-VFBGA

공급자 장치 패키지

54-MiniBGA (8x13)

MT52L512M64D4PQ-093 WT:B

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR3

메모리 크기

32Gb (512M x 64)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

1067MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.2V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

253-VFBGA

공급자 장치 패키지

253-VFBGA (11x11.5)

IS61VF51236A-7.5B3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

117MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

7.5ns

전압-공급

2.375V ~ 2.625V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-TBGA

공급자 장치 패키지

165-TFBGA (13x15)

70T653MS10BC8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

2.4V ~ 2.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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