15GN01CA-TB-E
참조 용
| 부품 번호 | 15GN01CA-TB-E |
| PNEDA 부품 번호 | 15GN01CA-TB-E |
| 설명 | RF TRANS NPN 8V 1.5GHZ 3CP |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,544 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 27 - 5월 2 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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15GN01CA-TB-E 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 15GN01CA-TB-E |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-RF |
| 데이터 시트 |
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15GN01CA-TB-E 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 8V |
| 주파수-전환 | 1.5GHz |
| 노이즈 지수 (dB Typ @ f) | - |
| 이득 | - |
| 전력-최대 | 200mW |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 200 @ 10mA, 5V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 50mA |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 공급자 장치 패키지 | 3-CP |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 9V 주파수-전환 14GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) 1.15dB @ 1.8GHz 이득 17.5dB 전력-최대 60mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 90 @ 5mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대) 10mA 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-101, SOT-883 공급자 장치 패키지 PG-TSLP-3-1 |
