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1M160ZHB0G

1M160ZHB0G

참조 용

부품 번호 1M160ZHB0G
PNEDA 부품 번호 1M160ZHB0G
설명 DIODE ZENER 160V 1W DO204AL
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 4,662
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1M160ZHB0G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1M160ZHB0G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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1M160ZHB0G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈Automotive, AEC-Q101
전압-제너 (Nom) (Vz)160V
공차±5%
전력-최대1W
임피던스 (최대) (Zzt)1.1 kOhms
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 121.6V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-204AL (DO-41)

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

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공차

±2%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

1.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

5.1V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

17 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

1EZ160D2/TR8

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

160V

공차

±2%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

1.4 kOhms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 121.6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

JANTXV1N4477US

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/406

전압-제너 (Nom) (Vz)

33V

공차

±5%

전력-최대

1.5W

임피던스 (최대) (Zzt)

25 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 26.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SQ-MELF, A

공급자 장치 패키지

D-5A

1N755AUR-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

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