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1N2138A

1N2138A

참조 용

부품 번호 1N2138A
PNEDA 부품 번호 1N2138A
설명 DIODE GEN PURP 600V 60A DO5
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,510
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 25 - 1월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N2138A 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N2138A
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
1N2138A, 1N2138A 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 766.18 KB)
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  • 1N2138A Distributor

1N2138A 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)60A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 60A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 50V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스DO-203AB, DO-5, Stud
공급자 장치 패키지DO-5
작동 온도-접합-65°C ~ 200°C

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1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

1.8µs

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

6pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-220AA

공급자 장치 패키지

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작동 온도-접합

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시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

300ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

작동 온도-접합

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

8pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

작동 온도-접합

-65°C ~ 160°C

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제조업체

WeEn Semiconductors

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

500V

전류-평균 정류 (Io)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.9V @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

980mV @ 2.5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

70pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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