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1N2970B

1N2970B

참조 용

부품 번호 1N2970B
PNEDA 부품 번호 1N2970B
설명 DIODE ZENER 6.8V 10W DO4
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 5,022
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 20 - 12월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N2970B 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N2970B
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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1N2970B 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)6.8V
공차±5%
전력-최대10W
임피던스 (최대) (Zzt)1.2 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr150µA @ 5.2V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.5V @ 2A
작동 온도-65°C ~ 175°C
장착 유형Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스DO-203AA, DO-4, Stud
공급자 장치 패키지DO-4

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

3.6V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

24 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

NZX6V8D,133

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

6.8V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

15 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

ALF2

TDZTR18B

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

18V

공차

±10%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 12V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

2-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

TUMD2

BZD17C18P RTG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

18V

공차

±6.38%

전력-최대

800mW

임피던스 (최대) (Zzt)

15 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 13V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

TZM5249C-GS18

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

19V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

23 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 14V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOD-80

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