1N2999B
참조 용
| 부품 번호 | 1N2999B | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | 1N2999B | ||||||||||||||||||
| 설명 | DIODE ZENER 56V 10W DO213AA | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Microsemi | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 14 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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1N2999B 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 1N2999B |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 제너 다이오드-단일 |
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1N2999B 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| 전압-제너 (Nom) (Vz) | 56V |
| 공차 | ±5% |
| 전력-최대 | 10W |
| 임피던스 (최대) (Zzt) | 16 Ohms |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 10µA @ 42.6V |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.5V @ 2A |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C |
| 장착 유형 | Chassis, Stud Mount |
| 패키지 / 케이스 | DO-203AA, DO-4, Stud |
| 공급자 장치 패키지 | DO-213AA |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 11V 공차 ±5% 전력-최대 1W 임피던스 (최대) (Zzt) 8 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 8.4V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 200mA 작동 온도 -55°C ~ 175°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-213AB, MELF 공급자 장치 패키지 DO-213AB |
제조업체 Central Semiconductor Corp 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 190V 공차 ±5% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 2.4 kOhms 전류-역방향 누설 @ Vr 100nA @ 144V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 200mA 작동 온도 -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AH, DO-35, Axial 공급자 장치 패키지 DO-35A |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 160V 공차 ±2% 전력-최대 3W 임피던스 (최대) (Zzt) 700 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 121.6V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 200mA 작동 온도 -55°C ~ 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-216AA 공급자 장치 패키지 DO-216AA |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 * 전압-제너 (Nom) (Vz) - 공차 - 전력-최대 - 임피던스 (최대) (Zzt) - 전류-역방향 누설 @ Vr - 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 Automotive, AEC-Q101 전압-제너 (Nom) (Vz) 13.25V 공차 ±6.41% 전력-최대 1W 임피던스 (최대) (Zzt) 10 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 2µA @ 10V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 200mA 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-219AB 공급자 장치 패키지 Sub SMA |
