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1N3335RB

1N3335RB

참조 용

부품 번호 1N3335RB
PNEDA 부품 번호 1N3335RB
설명 DIODE ZENER 62V 50W DO5
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 8,172
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N3335RB 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N3335RB
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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  • 1N3335RB Distributor

1N3335RB 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)62V
공차±5%
전력-최대50W
임피던스 (최대) (Zzt)7 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 47.1V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.5V @ 10A
작동 온도-65°C ~ 175°C
장착 유형Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스DO-203AB, DO-5, Stud
공급자 장치 패키지DO-5

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전압-제너 (Nom) (Vz)

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공차

±5.42%

전력-최대

800mW

임피던스 (최대) (Zzt)

60 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-90, SOD-323F

공급자 장치 패키지

SOD-323FL

BZD27C11PHR3G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

11V

공차

±5.45%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

7 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

4µA @ 8.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

1PGSMB5926HR5G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

11V

공차

±5%

전력-최대

3W

임피던스 (최대) (Zzt)

5.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 8.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

DO-214AA (SMB)

CDZVT2R20B

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

20V

공차

-

전력-최대

100mW

임피던스 (최대) (Zzt)

85 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 15V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

2-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

VMN2M

1PMT5942E3/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

51V

공차

±20%

전력-최대

3W

임피던스 (최대) (Zzt)

70 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 38.8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-216AA

공급자 장치 패키지

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