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1N3337B

1N3337B

참조 용

부품 번호 1N3337B
PNEDA 부품 번호 1N3337B
설명 DIODE ZENER 75V 50W DO5
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 6,786
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 25 - 12월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N3337B 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N3337B
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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  • 1N3337B Distributor

1N3337B 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)75V
공차±5%
전력-최대50W
임피던스 (최대) (Zzt)9 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 56V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.5V @ 10A
작동 온도-65°C ~ 175°C
장착 유형Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스DO-203AB, DO-5, Stud
공급자 장치 패키지DO-5

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제조업체

Microsemi Corporation

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-

전압-제너 (Nom) (Vz)

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공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

8 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 8.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF

공급자 장치 패키지

DO-213AB

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

68V

공차

±5%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

44 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 51.7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

Axial

MMSZ2V7T3G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

2.7V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

100 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

20µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

CDLL6677

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

BZD17C220P M2G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

220V

공차

±5.68%

전력-최대

800mW

임피던스 (최대) (Zzt)

900 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 160V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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