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1N3349RB

1N3349RB

참조 용

부품 번호 1N3349RB
PNEDA 부품 번호 1N3349RB
설명 DIODE ZENER 180V 50W DO5
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 8,550
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 25 - 12월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N3349RB 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N3349RB
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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  • 1N3349RB Distributor

1N3349RB 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)180V
공차±5%
전력-최대50W
임피던스 (최대) (Zzt)90 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 136.8V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.5V @ 10A
작동 온도-65°C ~ 175°C
장착 유형Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스DO-203AB, DO-5, Stud
공급자 장치 패키지DO-5

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30V

공차

±10%

전력-최대

1.5W

임피던스 (최대) (Zzt)

26 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 22.8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

DO-214AA (SMBJ)

1SMA5930BT3

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

16V

공차

±5%

전력-최대

1.5W

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 12.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

SMA

1N4900A

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

12.8V

공차

±5%

전력-최대

400mW

임피던스 (최대) (Zzt)

200 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AA, DO-7, Axial

공급자 장치 패키지

DO-7

BZG05C12-M3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

BZG05C-M

전압-제너 (Nom) (Vz)

12V

공차

±5.42%

전력-최대

1.25W

임피던스 (최대) (Zzt)

9 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 9.1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

SMAJ5946AE3/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

75V

공차

±10%

전력-최대

3W

임피던스 (최대) (Zzt)

140 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 56V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMAJ)

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