1N3595US
참조 용
| 부품 번호 | 1N3595US |
| PNEDA 부품 번호 | 1N3595US |
| 설명 | DIODE GEN PURP 4A B-MELF |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,564 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 2 - 12월 7 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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1N3595US 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 1N3595US |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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- 1N3595US Distributor
1N3595US 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | - |
| 전류-평균 정류 (Io) | 4A (DC) |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1V @ 200mA |
| 속도 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 3µs |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 1nA @ 125V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SQ-MELF, B |
| 공급자 장치 패키지 | B, SQ-MELF |
| 작동 온도-접합 | -65°C ~ 150°C |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.3V @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 250ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AL, DO-41, Axial 공급자 장치 패키지 DO-204AL (DO-41) 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
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