1N3671AR
참조 용
| 부품 번호 | 1N3671AR |
| PNEDA 부품 번호 | 1N3671AR |
| 설명 | DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4 |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,572 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 19 - 2월 24 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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1N3671AR 리소스
| 브랜드 | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 1N3671AR |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
| 데이터 시트 |
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- 1N3671AR Distributor
1N3671AR 사양
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Standard, Reverse Polarity |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 800V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 12A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.1V @ 12A |
| 속도 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | - |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 10µA @ 50V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Chassis, Stud Mount |
| 패키지 / 케이스 | DO-203AA, DO-4, Stud |
| 공급자 장치 패키지 | DO-4 |
| 작동 온도-접합 | -65°C ~ 200°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 * 다이오드 유형 - 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) - 전류-평균 정류 (Io) - 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 속도 - 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr - 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - 작동 온도-접합 - |
제조업체 Sanken 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 200V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 400ns 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 Axial 공급자 장치 패키지 - 작동 온도-접합 -40°C ~ 150°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 300V 전류-평균 정류 (Io) 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 3A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 50ns 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 300V 커패시턴스 @ Vr, F 30pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214AB, SMC 공급자 장치 패키지 DO-214AB (SMC) 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 30V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 480mV @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 3.5ns 전류-역방향 누설 @ Vr 1.25mA @ 30V 커패시턴스 @ Vr, F 32pF @ 10V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 2-XDFN 공급자 장치 패키지 DSN1006-2 작동 온도-접합 150°C (Max) |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 40V 전류-평균 정류 (Io) 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 550mV @ 3A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 100µA @ 40V 커패시턴스 @ Vr, F 62pF @ 10V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOD-128 공급자 장치 패키지 M-FLAT (2.4x3.8) 작동 온도-접합 150°C (Max) |
