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1N3879

1N3879

참조 용

부품 번호 1N3879
PNEDA 부품 번호 1N3879
설명 DIODE GEN PURP 50V 6A DO4
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 15,348
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N3879 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N3879
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
1N3879, 1N3879 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 730.88 KB)
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  • 1N3879 Distributor

1N3879 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)50V
전류-평균 정류 (Io)6A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.4V @ 6A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)200ns
전류-역방향 누설 @ Vr15µA @ 50V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스DO-203AA, DO-4, Stud
공급자 장치 패키지DO-4
작동 온도-접합-65°C ~ 150°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

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패키지 / 케이스

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시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2 Insulated, TO-220AC

공급자 장치 패키지

TO-220AC ins

작동 온도-접합

-40°C ~ 175°C

UGF8JD C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.3V @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

30ns

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2 Full Pack

공급자 장치 패키지

ITO-220AC

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

R9G03812XX

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제조업체

Powerex Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

3800V

전류-평균 정류 (Io)

1200A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.45V @ 1500A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

25µs

전류-역방향 누설 @ Vr

150mA @ 3800V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

DO-200AA, A-PUK

공급자 장치 패키지

DO-200AA, R62

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

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