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1N4001G B0G

1N4001G B0G

참조 용

부품 번호 1N4001G B0G
PNEDA 부품 번호 1N4001G-B0G
설명 DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 7,578
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N4001G B0G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N4001G B0G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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1N4001G B0G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)50V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 1A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 50V
커패시턴스 @ Vr, F10pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-204AL (DO-41)
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AA, DO-27, Axial

공급자 장치 패키지

DO-27

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

CDBF0520-HF

Comchip Technology

제조업체

Comchip Technology

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

500mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

470mV @ 500mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

100pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

1005 (2512 Metric)

공급자 장치 패키지

1005/SOD-323F

작동 온도-접합

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BYW27-400GP-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

3µs

전류-역방향 누설 @ Vr

200nA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

8pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

CMR2U-06 BK

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

100ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

28pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

SMB

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

GP10-4003EHE3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

작동 온도-접합

-

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