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1N4001GP-E3/54

1N4001GP-E3/54

참조 용

부품 번호 1N4001GP-E3/54
PNEDA 부품 번호 1N4001GP-E3-54
설명 DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 7,308
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 18 - 3월 23 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N4001GP-E3/54 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N4001GP-E3/54
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
1N4001GP-E3/54, 1N4001GP-E3/54 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 79.42 KB)
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1N4001GP-E3/54 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈SUPERECTIFIER®
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)50V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 1A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)2µs
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 50V
커패시턴스 @ Vr, F8pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-204AL (DO-41)
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-

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제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

400mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

150pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

SMB

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

UF4002

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

17pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

RB021VAM90TR

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

90V

전류-평균 정류 (Io)

200mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

490mV @ 200mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

900µA @ 90V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

2-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

TUMD2M

작동 온도-접합

125°C (Max)

ES1AHE3/5AT

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

920mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

25ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

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