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1N4002B-G

1N4002B-G

참조 용

부품 번호 1N4002B-G
PNEDA 부품 번호 1N4002B-G
설명 DIODE GEN PURP 100V 1A DO41
제조업체 Comchip Technology
단가 견적 요청
재고 있음 14,136
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N4002B-G 리소스

브랜드 Comchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N4002B-G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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1N4002B-G 사양

제조업체Comchip Technology
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)100V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 1A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F15pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-41
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.05V @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220-2

작동 온도-접합

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BAT46WH,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

250mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

850mV @ 250mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

5.9ns

전류-역방향 누설 @ Vr

9µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

39pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123F

공급자 장치 패키지

SOD-123F

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제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

75ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

17pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

SRAF16100 C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

16A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

920mV @ 16A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

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TO-220-2 Full Pack

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

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속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 45V

커패시턴스 @ Vr, F

900pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab

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