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1N4003G

1N4003G

참조 용

부품 번호 1N4003G
PNEDA 부품 번호 1N4003G
설명 DIODE GEN PURP 200V 1A DO41
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 255,024
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 24 - 6월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N4003G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N4003G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
1N4003G, 1N4003G 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 161.67 KB)
PDF1N4004 데이터 시트 표지
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1N4003G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)200V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 1A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-41
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 8A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

55pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

PMEG6010AESBYL

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

625mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

2.4ns

전류-역방향 누설 @ Vr

650µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

20pF @ 10V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

2-XDFN

공급자 장치 패키지

DSN1006-2

작동 온도-접합

150°C (Max)

TSD2G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

20pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

DO-214AA (SMB)

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

2A02GHR0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 2A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AC, DO-15, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AC (DO-15)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

IDH10G65C6XKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

650V

전류-평균 정류 (Io)

24A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.35V @ 10A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

33µA @ 420V

커패시턴스 @ Vr, F

495pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

PG-TO220-2

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

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