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1N4006-N-2-2-BP

1N4006-N-2-2-BP

참조 용

부품 번호 1N4006-N-2-2-BP
PNEDA 부품 번호 1N4006-N-2-2-BP
설명 DIODE GEN PURP 800V 1A DO-41
제조업체 Micro Commercial Co
단가 견적 요청
재고 있음 6,408
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N4006-N-2-2-BP 리소스

브랜드 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N4006-N-2-2-BP
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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1N4006-N-2-2-BP 사양

제조업체Micro Commercial Co
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)800V
전류-평균 정류 (Io)1A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 1A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F15pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-41
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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50V

전류-평균 정류 (Io)

15mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 15mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

1ns

전류-역방향 누설 @ Vr

200nA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

2.1pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

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패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 150V

커패시턴스 @ Vr, F

95pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

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공급자 장치 패키지

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

30A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2V @ 30A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

45ns

전류-역방향 누설 @ Vr

30µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

TO-247AC Modified

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

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-

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

4µs

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

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전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

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속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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-

전류-역방향 누설 @ Vr

1.2mA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

-

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