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1N4446 TR

1N4446 TR

참조 용

부품 번호 1N4446 TR
PNEDA 부품 번호 1N4446-TR
설명 DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35
제조업체 Central Semiconductor Corp
단가 견적 요청
재고 있음 7,740
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N4446 TR 리소스

브랜드 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N4446 TR
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
1N4446 TR, 1N4446 TR 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 210.75 KB)
PDF1N4446 TR 데이터 시트 표지
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1N4446 TR 사양

제조업체Central Semiconductor Corp
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)100V
전류-평균 정류 (Io)150mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 20mA
속도Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr)4ns
전류-역방향 누설 @ Vr25nA @ 20V
커패시턴스 @ Vr, F4pF @ 0V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35
작동 온도-접합-65°C ~ 200°C

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제조업체

Rohm Semiconductor

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

200mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

EMD2

작동 온도-접합

150°C (Max)

UES1303

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io)

6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

925mV @ 6A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

30ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 150V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

B, Axial

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

175°C (Max)

BYM13-50-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

700mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

80pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF

공급자 장치 패키지

GL41 (DO-213AB)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

1N4936G-T

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

200ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

MBRF7H45-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io)

7.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

630mV @ 7.5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 45V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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