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1N4448WSTR

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참조 용

부품 번호 1N4448WSTR
PNEDA 부품 번호 1N4448WSTR
설명 DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323
제조업체 SMC Diode Solutions
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1N4448WSTR 리소스

브랜드 SMC Diode Solutions
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N4448WSTR
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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  • SMC Diode Solutions Distributor
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  • 1N4448WSTR Distributor

1N4448WSTR 사양

제조업체SMC Diode Solutions
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)75V
전류-평균 정류 (Io)250mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 100mA
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)4ns
전류-역방향 누설 @ Vr2.5µA @ 75V
커패시턴스 @ Vr, F4pF @ 0V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-90, SOD-323F
공급자 장치 패키지SOD-323
작동 온도-접합-65°C ~ 150°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.6V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

150ns

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

20pF @ 12V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

600mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

2mA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

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다이오드 유형

Avalanche

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.6V @ 4A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

140ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

77pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-277, 3-PowerDFN

공급자 장치 패키지

TO-277A (SMPC)

작동 온도-접합

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

150ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

VS-6FL60S05

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io)

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전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

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